חפסנ
םיטרפמ
|
|
|
| :םגד םש |
|
|
|
|
|
|
|
| ג"ק 3.2 | לקשמ |
|
| |
| מ"מ 162.9 x 192.3 x 630.8 | )הבוג x קמוע x בחור( תודימ | יללכ |
| |
| C~+35°C°+5 | הלועפב הרוטרפמטה חווט |
| ||
|
|
| |||
| 75% דע 10% | הלועפב תוחלה יזוחא חווט |
|
| |
| 1kHz ,THD = 1% ,40W/4OHM | למשח תכירצ גוריד |
|
| |
| 800mV/56Kohm |
| טלק תודגנתה/תושיגר | רבגמ |
|
| םילביצד 65 | )יגולנא טלק( שערל תוא סחי |
| ||
|
|
| |||
|
|
|
|
|
|
| םילביצד 65 | )ץרהוליק 1( הדרפה |
|
| |
|
|
|
|
| |
| )םילביצד ±3( ץרהוליק 20~ץרה 20 | יגולנא טלק | םירדת תבוגת |
| |
| )םילביצד ±3( ץרהוליק 20~ץרה 20 | 48kHz PCM/ילטיגיד טלק |
| ||
|
|
|
|
| |
| רפמא 2.0 טלוו 5 | iPad |
|
| |
| רפמא 1.0 טלוו 5 | iPod | הניגע גוריד |
| |
| רפמא 1.0 טלוו 5 | Galaxy |
|
| |
|
|
|
|
| |
| USB 1.1 | A גוס | USB |
| |
| 500mA | רשי םרז תקפסא |
| ||
|
|
| |||
AES ןוגרא לש םיחנמ םיווקה יפ לע ועבקנש תודימה לע םיססובמ תישומיש תושיגרו הדרפה ,תוויע ,שערל תוא סחי לש םיכרעה *
.)Audio Engineering Society(
ילנימונ טרפמ *
.הערתה אלל םיטרפמה תא תונשל תוכזה תא תרמוש Samsung Electronics Co., Ltd -
.םירעושמ םה םיניוצמה תודימהו לקשמה -
.רישכמה
26