Spécifications
Section Amplificateur |
| Généralités | ||
Puissance de sortie |
| Système | Amplificateur de puissance à SEPP MOS | |
| 200 W + 200 W (8 Ω) |
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| FET linéaire legato haute puissance |
| 400 W + 400 W (4 Ω) |
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| purement complémentaire |
Impédance nominale des enceintes | Alimentation |
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| 4 Ω ∼ 16 Ω |
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| Modèle pour les |
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| 120 V CA , 60 Hz |
Distorsion harmonique |
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| Modèle pour l’Europe | |
| Inférieure à 0.005% (à 8 Ω, 10 W, DHT) |
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| 230 V CA , 50/60 Hz |
Facteur d’amortissement | Consommation |
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| 150 (à 8 Ω, 1 kHz) |
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| Modèle pour les |
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| 8.0 A |
Réponse en fréquence |
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| Modèle pour l’Europe | |
| 5 Hz - 300 kHz + 0/– 1 dB (à 8 Ω, 1 W) |
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| 600 W |
Sensibilité et impédance d’entrée | Dimensions | 480 × 245 × 530 mm | ||
| 1,5 V, 20 kΩ (asymétrique) |
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| (18 7/8 x 9 5/8 x 20 7/8 po.) |
| 1,5 V, 40 kΩ (symétrique) |
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| (saillies et commandes comprises) |
Gain | 28 dB |
| Poids (Env.) | 70 kg (154 li. 4 on.) |
Rapport S/B Supérieur à 115 dB (entrée |
| Accessoires fournis | ||
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| Voir page 4. | |
La conception et les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.
complémentaires Informations