Hisense Group MT5380 service manual DDR#1, DDR Memory

N11A

DDRV

DDRV

RDQS0

11

RDQS0

RA0

47

RA0

RDQM0

13

36

RA7

RDQM0

RA7

RDQ0

9

40

RWE#

RDQ0

RWE

RDQI

,5

43

RBA0

N13

RDQ1

RBAO

RDQ2

7

37

RA6

.L

RDQ2

RA6

MEM

DQ0

--

VDD

VSS

RDQ3

6

44

RBA1

6,5

RDQ3

RBA1

RDQ4

,5

3,5

RA5

DQ0

DQ15

64

RDQ4

RA5

MEM

DQI

--

VDDQ

VSSQ

RDQ5

4

42

RRAS#

63

RDQ5

RRAS

MEM

DQ2

DO1

DQ14

RDQ6

3

35

RA8

6?

RDQ6

RA8

DQ2

DQ13

RDQ7

?

4,5

RA10

61

RDQ7

RA10

MEM

DQ3

VSSQ

VDDQ

RDQS1

17

39

RA4

6O

RDQS1

RA4

RDQM1

1,5

41

RCAS#

MEM

DQ4

DO3

DQ12

,5,9

RDQM1

RCAS

RDQ8

1,9

32

RA12

DQ4

DQ 11

RDQ8

RA12

MEM

DQ5

--

VDDQ

VSSQ

RDQ9

?f)

31

RCKE

,57

RDQ9

RCKE

MEM

DQ6

DO5

DQ10

RDQI0

21

33

RA11

,56

RDQ10

RA11

RDQ11

22

34

RA9

DQ6

DQ9

RR

RDQ11

RA9

MEM

DQ7

VSSQ

VDDQ

RDQ12

23

fil

RA3

,54

RDQ12

RA3

RDQ13

24

4,9

RA1

DQ7

DQ8

RDQ13

RA1

NC

NC

RDQ14

?5

50

RA2

RDQ14

RA2

RDQI5

?6

MEM

DQS0

--

VDDQ

VSSQ

51

RDQ15

?,5

RCLK0#

MEM

ADDR13

LDQS

UDQS

RCLK0

MEM VREF

53

?9

RCLK0

NC

NC

RVREF0

RCLKO

--

VDD

VREF

RCS#

46

48

RCS

MEM

DQM0

NC

VSS

47

MEM

WE#

LDM

UDM

46

MT5380 SMD LQFP

MEM

CAS#

WE

CLK

45

MEM

RAS#

CAS

CLK

44

RN7

47x4

MEM

CS#

RAS

CKE

MEM

ADDR12

1

iN/N/N.

,5

RA12

CS

NC

MEM

BA0

NC

A12

41

MEM

ADDR11

?

iN/N/N.

7

RA11

MEM

BA1

BS0

A11

MEM ADDR9

3

_

6

RA9

40

MEM

ADDRt0

BS1

A9

MEM

ADDR8

4

tN/_/N.

5

RA8

39

MEM

ADDR0

A10/AP

A8

Add

serial

resistors

for

DRAH

3,5

MEM

ADDRt

A0

A7

MEM

ADDR7

1R_.,_x4

,5

RA7

37

MEM

ADDR2

A1

A6

MEM

ADDR6

?

iN/N/N.

7

RA6

36

MEM

ADDR3

A2

A5

MEM ADDR5

3

_

6

RA5

35

A3

A4

MEM

ADDR4

4

tN/_/N.

5

RA4

34

VDD

VSS

RN12

47x4

16M x 16 DDR TSOP-66

MEM

WE#

1

iN/N/N.

,5

RWE#

R-TSOP66N-0.650-11.76-HX

---

MEM

CAS#

?

iN/N/N.

7

RCAS#

DDR#1

MEM RAS#

_'3_,%/%.

=6

RRAS#

RN14

47x4

RCKE

R71

MEM CLKEN

MEM CS#

1

'N/N/N.

,5

RCS#

,./N/N.

R-RESC1608N-HX

MEM BA0

2

_N/N/N.

7

RBA0

22R

MEM BA1

3

*N/N/N.

6

RBA1

MEM ADDRt0

4

*N/N/_.

fi

RA1O

MEM ADDR0

1R_v_X4,5

RA0

_ _ _ -" R73

" " _ \

MEM

ADDRt

2

_N/N/N.

7

RA1

MEM ADDR2

3

*_/N/N.

6

RA2

MEM ADDR3

4

*N/_/_.

5

RA3

RCLKORcLK0#j,,'_

"/N/N'R75"/N/N'22RME'iMEMCLK0#/CLK0R74100R

DDRV

DDRV

'.. -

22R _

_ _

i_

CE23

:

1C49150

i51

i52

i53

i54

i55

iC561C57

1

100uFl16V

--_0nF,0402

_00nF10402--_0nF,0402

_00nF10402--_0nF,0402

_00nF/0402--_0nF/0402T100nF/0402T

47uF/10v

I I

MEM	DQ15
MEM	DQ14	Add
MEM	DQ13
		RDQ0
MEM	DQ12	RDQI
MEM	DQ11	RDQ2
		RDQ3
MEM	DQI0	RDQ4
MEM	DQ9	RDQ5
		RDQ6
MEM	DQ8	RDQ7
		RDQS0
		RDQM0
MEM	DQS1	RDQM1
		RDQS1
MEM	VREF	RDQ8
		RDQ9
MEM	DQM1	RDQI0
MEM	CLK0#	RDQ11
MEM	CLK0	RDQ12
MEM	CLKEN	RDQ13
		RDQ14
MEM	ADDR12	RDQ15
MEM	ADDR11
MEM	ADDR9
MEM	ADDR8
MEM	ADDR7
MEM	ADDR6
MEM	ADDR5
MEM	ADDR4

MEM VREF

iC 8

1,2,3,5,6,7,8,9,10,11,12,13,1GND
2	MEM VREF
2,5	DDR_7
2	VTT

serial		resistors	for	DRAH				+IV3D
fiRNl_/N/N47x4 4				MEM	DQ0	4RN_x4R
6	_	3		MEM	DQI	3	./N/N/"	6
7	'N/N/N.	?		MEM	DQ2	2	./W	7
_R_;_4.1				MEMMEMDQ3DQ4		1R_4_
6	_	3		MEM	DQ5	3	./N/N/"	6
7	'N/N/N.	2		MEM	DQ6	2	./W	7

7	./N/N_	?	MEM	DQ9	3	./N/N/"	6
6	./N/N/_	3	MEM	DQI0	?	./N/_/"	7
?1	_	78	MEMMEMDQI5DQI4		1?	_

R-RESCA3216-8N-HX +IV3D

MEM	WE#	4 R_,/_x45
MEM CAS#		3	_	6
MEM RAS#		?	_	7
MEMMEBA0cs#		1R_4		5,5
MEM BA1		3	_	6
MEM	ADDRt0	?	./N/_/'	7
+IV3DMEMADDR4		_N_4_
MEM	ADDR5	3	./N/_/_	6
MEM	ADDR6	2	./N/N/'	7
MEM	ADDR7	1	./N/N/"	,5
MEM CLKEN		R72	_/N/N.	75R/NC
MEM	ADDR12	1R17I)l,_sv7_X4,5
MEM ADDR11		2	_N/N/N.	7
MEMMEMMEMADDRoADDR8ADDR9		iRN_4_
MEM	ADDRt	3	./N/N/_	6
MEM	ADDR2	2	./N/N/_	7
MEM	ADDR3	1	./N/N/"	,5
MEM ADDR13			_N/N/_

R7675R/NC

/C60

4.7uFIIOVINC

(( _	GND	_L
Ill	MEMvTTDDRvVREF

DDRV

T

Tc65- ooF,o4o2 T100nFI0402T100nF/0402Ic67IC68TI 100uF/16vCE24--h4.ct910 v

+IV3D

VTT

+ 1V3D

C79

IC80

IC81

IC82

IC83

1C74

ic75

i076

ic70

ic71

ic77

i078

1

CE26

100nF/040T100nF/040T100nF/040T100nF/040T100nF/0402

100uF/16V

I100nF/0402T100nF/040T100nF/040T100nF/040T100nF/040T100nF/040T 4.7uF/10V T

1 100nF/04_l-_00nF/0402 I

__L _L_+OE

T C73 FI10V"_0uF' 16v

A-E6.3-R-HX

Hisense Electric Co.,LTD

HISENSE SHENZHEN R&D

Suite 406,1angfeng Bldg,#2 Kefa Road Nanshan District,Shenzhen,China

Te1:86-755-26532018

Fax:86-755-26532013

Title

DDR MEMORY

s,_3	I Document<Doc>	Number				Ie(.o
Date:	Monday TJune 0% 2009		ISheet	4	of	14