חפסנ
םיטרפמ
םגד םש
ג"ק 1.6 | לקשמ | |
|
|
|
מ"מ 122.3 x 151.8 x 462.7 | )הבוג x קמוע x בחור( תודימ | |
|
|
|
+5°C~+35°C | הלועפב הרוטרפמטה חווט | |
|
|
|
75% דע 10% | הלועפב תוחלה יזוחא חווט | |
|
|
|
ץרהוליק 1 ,THD = 10% ,HM4O ,ץורע/טאו 5 | למשח תכירצ גוריד | |
|
|
|
800mV/20Kohm |
| טלק תודגנתה/תושיגר |
םילביצד 65 |
| )יגולנא טלק( שערל תוא סחי |
םילביצד 60 | )ץרהוליק 1( הדרפה | |
יללכ
רבגמ
)םילביצד ±3( ץרהוליק 22~ץרה 20
יגולנא טלק
םירדת תבוגת
רפמא 1.0 טלוו 5
רפמא 1.0 טלוו 5
iPod
Galaxy
הניגע גוריד
AES ןוגרא לש םיחנמ םיווקה יפ לע ועבקנש תודימה לע םיססובמ תישומיש תושיגרו הדרפה ,תוויע ,שערל תוא סחי לש םיכרעה *
.)Audio Engineering Society(
ילנימונ טרפמ *
.הערתה אלל םיטרפמה תא תונשל תוכזה תא תרמוש Samsung Electronics Co., Ltd -
.םירעושמ םה םיניוצמה תודימהו לקשמה -
.רישכמה
20