Adjusted CPU Frequency (MHz)（调整后的 CPU 频率，单位MHz） 显示调整后的 CPU 频率 (FSB x Ratio)。只读。
按<Enter>进入子菜单。
DIMM1/2 Memory SPD Information（内存 SPD 信息） 按<Enter>进入子菜单， 此菜单显示已安装内存信息。
Advance DRAM Configuration（高级 DRAM 配置） 按<Enter>进入子菜单。
DRAM Timing Mode（DRAM 时序模式）
选择是否由内存模组上的 SPD（Serial Presence Detect） EEPROM 控制内存 时序。设定 [Auto By SPD] ， BIOS根据 SPD 中的配置，自动设定内存时序和 下列相关选项。设定[Manual]，允许用户手动配置内存时序参数和下列选项。
CAS Latency (CL)（CAS 潜伏时间）
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项控制行位址信号（ CAS）延迟，即在SDRAM接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间（按时 钟周期）。
tRCD
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。在刷新 DRAM 时，列地 址和行地址是分开寻址的。此项允许你设置列地址寻址（RAS）到行地址寻址 （CAS）之间的过渡时序。时序数越少，DRAM 的性能越好。
tRP
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项可以控制列地址寻 址（RAS）前预充电的周期数。若在DRAM刷新前，无足够时间让列位址寻址 预充电，刷新可能会不完全，DRAM可能丢失资料。此项仅适用于系统安装同 步动态随机存取内存时。
tRAS
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项设定读或写一个内
存单元时 RAS 所需时间。
tRTP
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项设定读指令和预充 电指令间的时间间隔。
tRFC
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项设定读或写一个内
存单元时RFC所需时间。
tWR
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项用来设定一个活 跃内存块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（按时钟周 期）。 这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存单元中。
tRRD
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定不同内存块active
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