Adjust CPU Ratio

本項用來調整 CPU 時脈倍頻器 (ratio)。本項在處理器支擾本功能時才會顯示。

Adjusted CPU Frequency (MHz)

本項顯示調整後 CPU 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。

MEMORY-Z

按下 <Enter> 鍵以進入子選單。

DIMM1/2 Memory SPD Information

按下 <Enter> 鍵以進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。

Advance DRAM Configuration 按下 <Enter> 鍵以進入子選單。

DRAM Timing Mode

選擇 DRAM 的時序,是否由 DRAM 模組上的 SPD EEPROM 裝置來控制。設

[Auto by SPD] ,由 BIOS 依 SPD 上的組態,來設定 DRAM 時序及其它相 關設定。設定為 [Manual] 時,則以手動方式更改 DRAM 時序及相關選項。

CAS Latency (CL)

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制行位址信 號 (CAS) 延遲,也就是於 SDRAM 接收讀取指令後,開始進行讀取前的延遲時 間 (以時脈計)。

tRCD

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。在DRAM更新時, 列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的過渡 時間。時脈數越少,記憶體的效能越好。

tRP

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項控制列位址

(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間,讓列位址在記憶體更新之前預充電, 更新可能會不完全,且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態 隨機存取記憶體時。

tRAS

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀 取到寫入記憶體所需時間

tRTP

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。讀取到預充電間的 時間差。

tRFC

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀 取記憶體到寫入記憶體所需時間。

tWR

DRAM Timing Mode 設為 [Manual] 時,可調整本欄位。本項指定在有效寫 入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入緩 衝內的資料,可於預充電前被寫入記憶體。

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