MS-7636 Mainboard

▶Auto OverClock Technology

Lautet die Einstellung [Max FSB], kann das System den maximalen FSB Takt finden und automatisch übertakten.

▶Memory-Z

Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. ▶DIMM1~4 Memory SPD Information

Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. Das Unter- menü zeigt die Informationen des installierten Speichers an.

▶Current DRAM Channel1~4 Timing

Zeigt die installierten DRAM Timing. Nur Anzeige.

▶DRAM Timing Mode

Wählen Sie aus, ob DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EEPROM auf dem DRAM-Modul gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automa- tische Erkennung des DRAM timings und der folgenden “Advance DRAM Configura- tion” Untermenü durch das BIOS auf Basis der Einstellungen im SPD. Das Vorwählen [Manual] eingestellt, können Sie den DRAM Timing und die folgenden “Advance DRAM Configuration” Untermenü anpassen.

▶Advance DRAM Configuration

Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. ▶CH1/ CH2 1T/2T Memory Timing

Können Sie hier die DRAM Timing angeben. Legt die SDRAM Kommandorate fest. Die Einstellung [1N] lässt den SDRAM Signal Kontroller mit einem 1N ((Taktzyklus) laufen. Bei [2N] läuft er mit zwei Zyklen. 1N ist schneller als 2N.

▶CH1/ CH2 CAS Latency (CL)

Hier wird die Verzögerung im Timing (in Taktzyklen) eingestellt, bevor das SDRAM einen Lesebefehl nach dessen Erhält auszuführen beginnt.

▶CH1/ CH2 tRCD

Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Gestattet es, die Anzahl der Zyklen der Verzogerung im Timing einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM bes- chr ieben, ausgelesen oder aufgef rischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit fuhrt zu hoherer Leistung, während langsamere Geschwindigkeiten einen stabileren Betrieb bieten.

▶CH1/ CH2 tRP

Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadress Strobe - RAS) für eine Vorladung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollstandig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Dieser Menüpunkt ist nur relevant, wenn synchron- er DRAM verwendet wird.

▶CH1/ CH2 tRAS

Diese Einstellung stellt das Nehmen der Zeit RAS fest, um von zu lesen und zu einer Speicherzelle zu schreiben.

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MSI H55M-E33 manual