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DRAM Advance Control(内存高级控制)
此项可以自动侦测高级内存时序。如果您设置此项为[DCT 0],[DCT 1] 或 [Both],一些选项将会出现并且可以设置。
1T/2T Memory Timing (1T/2T 内存时序)
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual],此项可调整。此项控制内存命令速 率。选择[1T]使内存信号控制器运行在1T速率下(T=时钟周期 )。选择[2T]使内存 信号控制器运行在2T速率下。
DCT Unganged Mode(双通道非组合模式)
此选项用来把两个64位DCT整合成一个128位DCT界面。
Bank Interleaving(内存块交错技术)
内存块交错技术(Bank Interleaving)选项是一个提高内存超频性能的重要参数。 它允许系统同时访问多个内存块。
Power Down Enable(节能模式启用)
这是一个内存节能技术。当系统在一段时间内没有访问内存时,它将自动地减 少内存供电。
MemClk Tristate C3/ATLVID(C3/ATLVID 下内存时钟三态) 此项允许您在C3和ATLVID下启用/禁用内存时钟三态。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)(调整后的内存频率,单位MHz) 此项显示调整后的内存频率。只读。
HT Link Control(HT
连接控制)
按 <Enter> 键进入子菜单。
HT Link Speed Auto(自动检测 HT
Link 速度) 设置为 [Enabled],系统将自动检测 HT link 速度。
HT Link Speed(HT
连接速度)
此项允许您设置
Adjust -E
-E
Auto Disable -E
-E
设置此项为[Enabled],系统将从空的 PCI 和
CPU VDD Voltage (V),
这些选项用来调整CPU,内存和芯片电压。
Spread Spectrum(频展)
当主板上的时钟震荡发生器工作时,脉冲的极值(尖峰)会产生EMI(电磁干 扰)。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰,所以脉冲波的 尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题,将此项设定为 [Disabled],这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题 困扰请开启此项,这样可以减少电磁干扰。注意,如果您超频使用,必须将此项 禁用。因为即使是微小的峰值漂移(抖动)也会引入时钟速度的短暂突发。这样 会导致您超频的处理器锁死。
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