DRAM Advance Control
（内存高级控制）
此项可以自动侦测高级内存时序。如果您设置此项为[DCT 0]，[DCT 1] 或 [Both]，一些选项将会出现并且可以设置。
1T/2T Memory Timing （1T/2T 内存时序）
当 DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此项可调整。此项控制内存命令速 率。选择[1T]使内存信号控制器运行在1T速率下(T=时钟周期 )。选择[2T]使内存 信号控制器运行在2T速率下。
DCT Unganged Mode（双通道非组合模式）
此选项用来把两个64位DCT整合成一个128位DCT界面。
Bank Interleaving（内存块交错技术）
内存块交错技术(Bank Interleaving)选项是一个提高内存超频性能的重要参数。 它允许系统同时访问多个内存块。
Power Down Enable（节能模式启用）
这是一个内存节能技术。当系统在一段时间内没有访问内存时，它将自动地减 少内存供电。
MemClk Tristate C3/ATLVID（C3/ATLVID 下内存时钟三态） 此项允许您在C3和ATLVID下启用/禁用内存时钟三态。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)（调整后的内存频率，单位MHz） 此项显示调整后的内存频率。只读。
HT
Link Control（HT
连接控制）
按 <Enter> 键进入子菜单。
HT
Link Speed Auto（自动检测 HT
Link 速度） 设置为 [Enabled]，系统将自动检测 HT link 速度。
HT
Link Speed（HT
连接速度）
此项允许您设置
Adjust 
-E
-E
Auto Disable 
-E
-E
设置此项为[Enabled]，系统将从空的 PCI 和
CPU VDD Voltage (V),
这些选项用来调整CPU，内存和芯片电压。
Spread Spectrum（频展）
当主板上的时钟震荡发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干 扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以脉冲波的 尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题，将此项设定为 [Disabled]，这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题 困扰请开启此项，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，必须将此项 禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引入时钟速度的短暂突发。这样 会导致您超频的处理器锁死。
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