חפסנ

םיטרפמ

 

 

 

DA-E550

םגד םש

 

 

 

 

 

 

 

 

ג"ק 1.6

לקשמ

 

 

 

מ"מ 122.3 ‏x 151.8 ‏x 462.7

)הבוג x קמוע x בחור( תודימ

יללכ

 

 

+5°C~+35°C

הלועפב הרוטרפמטה חווט

 

 

 

 

 

75% דע 10%

הלועפב תוחלה יזוחא חווט

 

 

 

ץרהוליק 1 ‏,THD = 10% ‏,HM‏4O ,ץורע/טאו 5

למשח תכירצ גוריד

 

 

 

800mV/20Kohm

 

טלק תודגנתה/תושיגר

רבגמ

 

 

םילביצד 65

 

)יגולנא טלק( שערל תוא סחי

 

 

 

 

 

םילביצד 60

)ץרהוליק 1( הדרפה

 

 

 

 

 

 

 

 

)םילביצד ±3( ץרהוליק 22~ץרה 20

יגולנא טלק

םירדת תבוגת

 

 

 

 

 

 

 

רפמא 1.0 טלוו 5

iPod

הניגע גוריד

 

 

 

 

 

 

 

רפמא 1.0 טלוו 5

Galaxy

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

AES ןוגרא לש םיחנמ םיווקה יפ לע ועבקנש תודימה לע םיססובמ תישומיש תושיגרו הדרפה ,תוויע ,שערל תוא סחי לש םיכרעה *

.)Audio Engineering Society(‏

ילנימונ טרפמ *

.הערתה אלל םיטרפמה תא תונשל תוכזה תא תרמוש Samsung Electronics Co., Ltd -

.םירעושמ םה םיניוצמה תודימהו לקשמה -

.רישכמה יבג-לע תקבדומה תיוותב ונייע ,למשח תכירצו הקפסא תודוא עדימ תלבקל -

20