OC Genie Button Operation
OC Genie機能を有効/無効にします。
DRAM Ratio
この設定はメモリ周波数の倍率をコントロールし、メモリが異なる周波数組合 せで動作させます。
Adjusted DRAM Frequency
調整したDRAM周波数を表示します。読取専用です。
DRAM Timing Mode
この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Serial Presence De- tect) EEPROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto]に設 定すると、DRAMタイミングを有効にして、以下の[Advanced DRAM Configura- tion]メニューがSPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。[Manual]に 設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
Advanced DRAM Configuration
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。高級なDRAMタイミング を調整できます。
Command Rate
DRAMコマンド率をコントロールします。
tCL
SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミン グ遅延であるCASレイテンシーを設定します。
tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定しま す。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がりま す。
tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定しま す。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するため の時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデ ータを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインスト ールした場合のみこの項目が利用できます。
tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定 します。
tRFC
RFCが発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定します。
tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するの がtWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデ ータがメモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。
tWTR
同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔 時間を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatingがセンス増幅
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