MSI H61M-P23 (B3) manual

Boost Technologie unterstützt. Hier können Sie die Intel Turbo Boost Technologie aktivieren/ deaktivieren. Die Prozessorfrequenz kann dynamisch erhöht werden, wenn Anwendungen mehr Leistung verlangen und genügend Reserven zur maxi- malen Leistungsaufnahme bestehen. Die Leistung kann dynamisch erhöht oder reduziert werden (Dynamically scale up, Speed-Step Down).

OC Genie Button Operation

Hier können Sie die Funktion der OC-Genie-Taste aktivieren/ deaktivieren.

DRAM Ratio

Die Einstellung steuert das Verhältnis der Speicher-Frequenz, um unterschiedli- che Kombinationen der Speicherfrequenzen einzustellen.

Adjusted DRAM Frequency

Zeigt die Speicherfrequenz an. Nur Anzeige – keine Änderung möglich.

DRAM Timing Mode

Wählen Sie aus, ob DRAM-Timing durch das SPD (Serial Presence Detect) EE- PROM auf dem DRAM-Modul gesteuert wird. Die Einstellung [Auto] ermöglicht die automatische Erkennung des DRAM timings und der folgenden “Advance DRAM Configuration” Untermenü durch das BIOS auf Basis der Einstellungen im SPD. Das Vorwählen [Manual] eingestellt, können Sie den DRAM Timing und die fol- genden “Advance DRAM Configuration” Untermenü anpassen.

Advanced DRAM Configuration

Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. In diesem Untermenü können Sie die erweiterten DRAM-Timing anpassen.

Command Rate

Legt die DRAM Kommandorate fest.

tCL

Hier wird die Verzögerung (CAS-Timing) in Taktzyklen eingestellt, bevor das SDRAM einen Lesebefehl nach dessen Erhalt ausführt.

tRCD

Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu höherer Leistung, während langsamere Geschwindig- keiten einen stabileren Betrieb bieten.

tRP

Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row Address Strobe - RAS) für eine Vorbereitung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Die- ser Menüpunkt ist nur relevant, wenn DRAM verwendet wird.

tRAS

Diese Einstellung definiert die Zeit (RAS) zum Lesen und Schreiben einer Speicherzelle.