gie. Elle peut augmenter la fréquence du processeur dynamiquement lorsque les applications demandent une meilleure performance et le TDP reste dans la plage de température. Elle peut également offrir une augmentation de la puissance sans erreurs (Dynamique augmentation, baisse par étape).
OC Genie Button Operation
Ce domaine sert à activer/ désactiver la fonction OC Genie.
DRAM Ratio
Ce réglage contrôle le ratio de la fréquence mémoire pour activer la mémoire de fonctionner en différentes combinaisons de fréquence.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture uniquement.
DRAM Timing Mode
Le choix de décision si le timing DRAM est contrôlé par le SPD (Serial Presence Detect) EEPROM sur le module DRAM. La mise en [Auto] active le DRAM timings et le
Advanced DRAM Configuration
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM.
tCL
Il contrôle le latence CAS, qui détermine le retard du timing (en cycle d’horloge) avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avoir reçu.
tRCD
Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de RAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Moins l’horloge fonctionne, plus vite est la performance de DRAM.
tRP
Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) soit permit à précharger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le RAS ac- cumule son charge avant le refraîchissement de to DRAM, le refraîchissement peut être incomplet et le DRAM peut échouer à retirer les données. Cet article applique seulement quand le DRAM synchrone est installé dans le système.
tRAS
L’article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire.
tRFC
Ce réglage détermine le temps que RFC prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire.
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