Adjust CPU FSB Frequency (MHz) (調整 CPU FSB 頻率) 本項可調整 CPU FSB 頻率。
Adjusted CPU Frequency (MHz) (調整後 CPU 頻率) 本項顯示調整後 CPU 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
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DIMM1/2 Memory SPD Information （DIMM1/2 記憶體 SPD 訊息）
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。
Advance DRAM Configuration (進階記憶體設定) 按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。
DRAM Timing Mode (記憶體時序模式)
選擇 DRAM 的時序，是否由 DRAM 模組上的 SPD EEPROM 裝置來控制。設
為 [Auto by SPD] ，由 BIOS 依 SPD 上的組態，來設定 DRAM 時序及其它相 關設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 DRAM 時序及相關選項。
CAS Latency (CL)
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址 信號 (CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲 時間 (以時脈計)。
tRCD
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。在DRAM更新 時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的 過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址 (RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電， 更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態 隨機存取記憶體時。
tRAS
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRTP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間 的時間差。
tRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效 寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入 緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
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