Intel
EIST
향상된 Intel SpeedStep 기술로 인해 배터리 또는 AC 전원 중 어떤 방식으로 컴 퓨터를 실행되느냐에 따라 마이크로프로세서의 성능 레벨을 설정할 수 있습니다. speedstep 기술을 지원하는 CPU를 설치하면 이 필드가 표시됩니다.
Adjust CPU FSB Frequency (CPU FSB 주파수 조정) (MHz) 이 항목에서 CPU FSB 주파수를 조정할 수 있습니다.
Adjusted CPU Frequency (조정된 CPU 주파수) (MHz)
이 항목은 조정된 CPU 주파수를 표시합니다 (FSB x Ratio). 읽기 전용입니다.
-Z)
<Enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
DIMM1/2 Memory SPD Information (DIMM1~2 메모리 SPD 정보)
<Enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다. 이 하위 메뉴는 설치된 메모리의 정 보를 표시합니다.
Advance DRAM Configuration (고급 DRAM 구성) <Enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
DRAM Timing Mode (DRAM 타이밍 모드)
DRAM 모듈의 SPD (시리얼 존재 감지) EEPROM에 의해 DRAM 타이밍을 제 어하는지 어떤지 선택합니다.[Auto By SPD]으로 설정하면 SPD 구성을 기준으 로 하는 BIOS 에 의해 DRAM 타이밍 및 다음 관련 항목을 판별할 수 있습니다. [Manual(수동)]으로 설정하면 사용자가 DRAM 타이밍 및 다음 관련 항목을 수동 으로 설성할 수 있습니다.
CAS Latency (CAS 대기 시간) (CL)
DRAM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니다.이렇게 되면 SDRAM이 읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기 전에 (클록 사이클의) 타이밍 지연을 결정하는 CAS 대기 시간을 제어합니다.
tRCD
DRAM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. DRAM이 재충전되면 행과 열이 따로 분리됩니다. 이 설정 항목을 사용 하면 RAS(열 주소)에서 CAS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할 수 있습니다. 클록 사이클이 짧을수록 DRAM 성능이 빨라집니다.
tRP
DRAM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 항목은 사전에 충전할 수 있는 RAS 사이클 수를 제어합니다. DRAM 재충전 이전에 RAS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불충 분해서 DRAM이 데이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에 동기 화 DRAM이 설치된경우에만 적용됩니다.
tRAS
DRAM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 이 설정은 RAS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸 리는 시간을 결정합니다.
tRTP
DRAM 타이밍 모드가 [Manual(수동)]으로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니다. 읽기 명령과 사전 충전 명령 간의 시간 간격을 결정합니다.
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