Speed StepテクノロジーはCPUの負荷に応じて電圧と周波数を変化させ、パフ ォーマンスと省電力を両立させCPUの発熱を抑える機能です。拡張版インテル® Speed Stepテクノロジー(EIST)をサポートするCPUを搭載した場合に設定が可 能です。
Adjust CPU FSB Frequency (MHz) (CPU FSB周波数を調整する)
CPU FSB周波数を調整します。
Adjusted CPU Frequency (MHz) (調整したCPU周波数)
調整したCPU周波数 (FSB x 倍率)を表示します。読取専用です。
MEMORY-Z
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
DIMM1/2 Memory SPD Information (DIMM1/2メモリSPD情報)
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。装着されたメモリの情 報を表示します。
Advance DRAM Configuration (高級なDRAM配置) <Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
DRAM Timing Mode (DRAMタイミングモード)
この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Serial Presence De- tect) EEPROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto By SPD]に設定すると、SPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。 [Manual]に設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
CAS Latency (CL)
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイ ミング遅延であるCASレイテンシーを設定します｡
tRCD
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定し ます。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がり ます。
tRP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定し ます。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するた めの時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMが データを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインス トールした場合のみこの項目が利用できます。
tRAS
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。RAS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間 です。
tRTP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、この設定はデータ読み込みと プリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
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