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DIMM1/2 Memory SPD Information（内存速度信息） 按<Enter>进入子菜单， 此菜单显示已安装内存信息。
Advance DRAM Configuration（高级DRAM配置） 按<Enter>进入子菜单。
DRAM Timing Mode （DRAM 时序模式）
选择内存时序是否被DRAM模组中的SPD（Serial Presence Detect）所控制。 设定 [Auto By SPD] ， BIOS通过配置中的SPD，来设定内存时序和下列相关选 项。设定 [Manual]， 允许用户配置内存时序参数和手动设置下列选项。
CAS Latency (CL)
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项控制行位址信号（ CAS）延迟，即在SDRAM接收读取指令后，开始进行读取前的延迟时间（在时 钟周期内）。
tRCD
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。在DRAM 重置时，列和 栏位置是分开处理的。此项设定列位址 （RAS）到行位址（CAS）和信号之间 的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
tRP
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项可以控制列位址（
RAS）预充电的时序。若无足够时间，让列位址在DRAM更新之前预充电，更 新可能会不完全，而且DRAM可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同步动态 随机存取内存时。
tRAS
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RAS由读取到 写入内存所需时间。
tRTP
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定读指令和预充 电之间的时间间隔。
tRFC
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RFC由读取到 写入内存所需时间。
tWR
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定从整个有效的 写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前，写入缓冲器的资料 能确实写入内存。
tRRD
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定不同内存块ac-
tWTR
当DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此项调整。此项控制写入资料到读取 指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台DDR 装置 间所需的最小时脉。
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