Memory-Z

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DIMM1/2 Memory SPD Information(内存速度信息) 按<Enter>进入子菜单, 此菜单显示已安装内存信息。

Advance DRAM Configuration(高级DRAM配置) 按<Enter>进入子菜单。

DRAM Timing Mode DRAM 时序模式)

选择内存时序是否被DRAM模组中的SPDSerial Presence Detect)所控制。 设定 [Auto By SPD] BIOS通过配置中的SPD,来设定内存时序和下列相关选 项。设定 [Manual], 允许用户配置内存时序参数和手动设置下列选项。

CAS Latency (CL)

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项控制行位址信号( CAS)延迟,即在SDRAM接收读取指令后,开始进行读取前的延迟时间(在时 钟周期内)。

tRCD

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。在DRAM 重置时,列和 栏位置是分开处理的。此项设定列位址 (RAS)到行位址(CAS)和信号之间 的延迟时间。时序数越少,DRAM 的效能越好。

tRP

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项可以控制列位址(

RAS)预充电的时序。若无足够时间,让列位址在DRAM更新之前预充电,更 新可能会不完全,而且DRAM可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同步动态 随机存取内存时。

tRAS

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项指定RAS由读取到 写入内存所需时间。

tRTP

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项指定读指令和预充 电之间的时间间隔。

tRFC

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项指定RFC由读取到 写入内存所需时间。

tWR

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项指定从整个有效的 写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前,写入缓冲器的资料 能确实写入内存。

tRRD

DRAM Timing Mode设置为 [Manual],此项可调整。此项指定不同内存块ac- tive-to-active 的延迟。

tWTR

DRAM Timing Mode 设置为 [Manual],此项调整。此项控制写入资料到读取 指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台DDR 装置 间所需的最小时脉。

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MSI G41M-E43 manual 当DRAM Timing Mode设置为 Manual,此项可调整。此项指定RAS由读取到 写入内存所需时间。