MSI G41M-P23 manual Memory-Z

CPU Technology Support （CPU 技术支持）

按<Enter>键进入子菜单，此子菜单显示已安装的CPU所支持的技术。

Intel EIST （英特尔智能降频技术）

无论您的计算机是由电池还是电源供电，改进的英特尔智能降频技术（Intel SpeedStep）允许您设置微处理器的性能水平。此项仅在您安装的CPU支持 speedstep 技术时可用。

Adjust CPU FSB Frequency (MHz) （调整 CPU FSB 频率，单位 MHz） 此项允许您调整CPU前端总线频率。单位MHz。

Adjust CPU Ratio （调整 CPU 倍频）

此项用于调整 CPU 时钟的倍频。此项仅在您的处理器支持此功能时可用。

Adjusted CPU Frequency (MHz) （调整后的 CPU 频率，单位MHz） 此项显示调整后的 CPU 频率 (FSB x 倍频)。只读。

MEMORY-Z

按<Enter>键进入子菜单。

DIMM1/2 Memory SPD Information （DIMM1/2 内存 SPD 信息） 按<Enter>键进入子菜单，此子菜单显示已安装的内存的信息。

Advance DRAM Configuration （高级DRAM配置） 按<Enter>键进入子菜单。

DRAM Timing Mode （DRAM 时序模式）

此项用于选择是否由内存模组上的 SPD（Serial Presence Detect） EEPROM 控制内存时序。设置此项为[Auto By SPD]，BIOS将根据 SPD 中的配置自动设 置内存时序和下列相关选项。设置此项为[Manual]，用户可以手动配置内存时 序和下列相关选项。

CAS Latency (CL)

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项控制列地址选通 （CAS）的延迟，即在SDRAM接收读指令后，开始进行读取前的延迟时间（以 时钟周期为单位）。

tRCD

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。在刷新DRAM时，行和 列是分开寻址的。此项允许你设置行地址选通（RAS）到列地址选通（CAS） 之间的过渡时序。时钟周期数越少，DRAM的性能越好。

tRP

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项可以设置行地址 选通（RAS）前被允许预充电的时钟周期数。若在DRAM刷新前，无足够时间 让行地址选通积累足够电荷，刷新可能会不完全，DRAM可能丢失资料。此项 仅适用于系统安装同步动态随机存取内存时。

tRAS

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个

内存单元时 RAS 所需时间。

tRTP

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读指令和预 充电指令之间的时间间隔。

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