MSI G41M-P23 manual 117

MS-7592

tRFC

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个

内存单元时RFC所需时间。

tWR

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项用来设置一个活 跃内存模块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（以时钟 周期为单位）。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存 单元中。

tRRD

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置不同内存模 块间active-to-active 的延迟。

tWTR

当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置从写数据到 读命令之间的延迟时序。即对DDR设备的同一内存模块的最后一次有效写操作 到下一次读操作之间的必须延迟的最小的时钟周期数。

FSB/DRAM Ratio （FSB/DRAM 倍频） 此项允许您调整FSB到内存的倍频。

Adjusted DRAM Frequency (MHz) （调整后的内存频率，单位MHz） 此项显示调整后的内存频率。只读。

Adjust PCI-E Frequency (MHz) （调整 PCI-E 频率，单位MHz） 此项允许您调整 PCI-E 的频率。

Auto Disable DRAM/PCI Frequency （自动关闭 DRAM/PCI 频率）

设置此项为[Enabled]，系统将从空的PCI和DRAM插槽上移除（关闭）时钟以使电 磁干扰（EMI）最小。

DRAM Voltage (V), NB Voltage (V), CPU VTT (V), CPU Voltage (V) 这些项用来调整CPU，内存和芯片组电压。

Spread Spectrum （频展）

当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干扰）。频 展功能通过调制脉冲波使脉冲波的极值衰减为较为平滑的曲线，以此来降低脉冲 波极值时的电磁干扰。如果您没有遇到电磁干扰问题，请将此项设置为Disabled， 这样可以优化系统的性能，提高稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困扰，请将 此项设定为Enabled，这样可以减少电磁干扰。请注意，如果您超频使用主板，必 须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引起时钟速度的短暂突 发，这样会导致您超频的处理器锁死。

注意

*如果您没有任何电磁干扰（EMI）方面的问题，要使系统获得最佳的稳定性和性 能，请设置此项为[Disabled]。但是如果您被电磁干扰（EMI）问题所困扰，请 选择Spread Spectrum（频展）的值，以减少电磁干扰（EMI）。

*Spread Spectrum（频展）的值越高，EMI会越小，系统的稳定性也相应降低。 要为Spread Spectrum（频展）设定一个最合适的值，请参考EMI规章。

*当您超频时，请关闭Spread Spectrum（频展）。因为即使一个很微小的峰值漂 移也会引起时钟速度的短暂突发，这样会导致您超频的处理器锁死。

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