CPU Technology Support ( CPU 支援技術 )
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。子選單顯示已安裝 CPU 所支援的技術。
Intel
EIST ( Intel
節電技術 )
本技術依電腦使用電池或接 AC 交流電源的情況，來設定微處理器的效能表現。本 項在安裝支援 Intel® SpeedStep 技術的 CPU 才會顯示。
Adjust CPU FSB Frequency (MHz) ( 調整 CPU FSB 頻率 ) 本項可調整 CPU FSB 頻率。
Adjust CPU Ratio ( 調整 CPU 倍頻比率 )
本項用來調整 CPU 時脈倍頻器 (ratio)。本項在處理器支擾本功能時才會顯示。
Adjusted CPU Frequency (MHz) ( 調整後 CPU 頻率 ) 本項顯示調整後 CPU 的頻率 (FSB x Ratio)。唯讀。
MEMORY-Z
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。
DIMM1/2 Memory SPD Information ( DIMM1/2 記憶體 SPD 訊息 )
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。本子選單顯示已安裝記憶體的訊息。
Advance DRAM Configuration ( 進階記憶體設定 ) 按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。
DRAM Timing Mode ( 記憶體時序模式 )
選擇 DRAM 的時序，是否由 DRAM 模組上的 SPD EEPROM 裝置來控制。設
為 [Auto by SPD] ，由 BIOS 依 SPD 上的組態，來設定 DRAM 時序及其它相關 設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 DRAM 時序及相關選項。
CAS Latency (CL)
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位址 信號 (CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延遲 時間 (以時脈計)。
tRCD
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。在DRAM更新 時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的 過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址 (RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電， 更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態 隨機存取記憶體時。
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