OC Genie Button Operation
Hier können Sie die Funktion der
DRAM Frequency
Hier können Sie die
Adjusted DRAM Frequency
Zeigt die Speicherfrequenz an. Nur Anzeige – keine Änderung möglich.
DRAM Timing Mode
Wählen Sie aus, ob
Advanced DRAM Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. In diesem Untermenü können Sie die erweiterten
Command Rate
Legt die DRAM Kommandorate fest.
tCL
Hier wird die Verzögerung
tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu höherer Leistung, während langsamere Geschwindig- keiten einen stabileren Betrieb bieten.
tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row Address Strobe - RAS) für eine Vorbereitung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Die- ser Menüpunkt ist nur relevant, wenn DRAM verwendet wird.
tRAS
Diese Einstellung definiert die Zeit (RAS) zum Lesen und Schreiben einer Speicherzelle.
tRFC
Diese Einstellung definiert die Zeit (RFC) zum Lesen und Schreiben einer Speicherzelle.
tWR
Minimum Intervall zwischen dem Datenflussende und dem Beginn eines vorge- ladenen Befehls. Erlaubt die Wiederherstellung der Daten in die Zellen.
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