MS-7788
EIST
拡張版インテル® SpeedStepテクノロジ(EIST)の有効/無効を設定します。Speed StepテクノロジはCPUの負荷に応じて電圧と周波数を変化させ、パフォーマン スと省電力を両立させCPUの発熱を抑える機能です。拡張版インテル® Speed Stepテクノロジ(EIST)をサポートするCPUを搭載した場合に設定が可能です。
Intel
Turbo Boost
インテル® Turbo BoostテクノロジをサポートするCPUを装着するとこの項目が 表示され、インテル® Turbo Boostテクノロジの有効/無効を選択可能にします。 アプリケーションソフトが性能の向上を要求した場合や熱的な余裕がある場合 にプロセッサ周波数をCPU規定の動作クロックを超えて動的に変化させること が可能になります。
OC Genie Button Operation
OC Genie機能を有効/無効にします。
DRAM Frequency
メモリ周波数を調整します。
Adjusted DRAM Frequency
調整したDRAM周波数を表示します。読取専用です。
DRAM Timing Mode
この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Serial Presence De- tect) EEPROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto]に設 定すると、DRAMタイミングを有効にして、以下の[Advanced DRAM Configura- tion]メニューがSPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。[Manual]に 設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
Advanced DRAM Configuration
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。高級なDRAMタイミング を調整できます。
Command Rate
DRAMコマンド率をコントロールします。
tCL
SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミン グ遅延であるCASレイテンシーを設定します。
tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定しま す。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がりま す。
tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定しま す。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するため の時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデ ータを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインスト ールした場合のみこの項目が利用できます。
tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定
155
