MSI H61M-P31/W8 manual

Models: H61M-P31/W8

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MS-7788

l’adapteur d’alimentation. Ce domaine vous apparaîtra après que vous installiez le CPU qui supporte la speedstep technologie.

IntelTurbo Boost

Cet article apparaît lorsque vous installez un CPU supportant l’Intel Turbo Boost Technologie. Ce menu sert à activer ou désactiver l’Intel Turbo Boost Technolo- gie. Elle peut augmenter la fréquence du processeur dynamiquement lorsque les applications demandent une meilleure performance et le TDP reste dans la plage de température. Elle peut également offrir une augmentation de la puissance sans erreurs (Dynamique augmentation, baisse par étape).

OC Genie Button Operation

Ce domaine sert à activer/ désactiver la fonction OC Genie.

DRAM Frequency

Ce menu sert à ajuster la fréquence de la mémoire.

Adjusted DRAM Frequency

Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture uniquement.

DRAM Timing Mode

Le choix de décision si le timing DRAM est contrôlé par le SPD (Serial Presence Detect) EEPROM sur le module DRAM. La mise en [Auto] active le DRAM timings et le sous-menu suivant “Advance DRAM Configuration” d’être déterminé par le BIOS basé sur la configuration du SPD. La mise en [Manual] vous permet de con- figurer le timings DRAM et le sous-menu suivant “Advance DRAM Configuration” relatifs manuellement.

Advanced DRAM Configuration

Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu. Dans le sous-menu, vous pouvez ajuster le DRAM timing avancé.

Command Rate

Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM.

tCL

Il contrôle le latence CAS, qui détermine le retard du timing (en cycle d’horloge) avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avoir reçu.

tRCD

Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de RAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Moins l’horloge fonctionne, plus vite est la performance de DRAM.

tRP

Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) soit permit à précharger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le RAS ac- cumule son charge avant le refraîchissement de to DRAM, le refraîchissement peut être incomplet et le DRAM peut échouer à retirer les données. Cet article applique seulement quand le DRAM synchrone est installé dans le système.

tRAS

L’article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire.

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