C1E Support（增强停机状态支持）
启用此项可在CPU空闲时读取CPU电源能耗。不是所有的处理器都支持增强停机 状态（C1E）。
Adjust CPU Base Frequency (MHz)（调整 CPU 基础频率，单位MHz)
此此项用来调整CPU基础频率，单位MHz。您可以通过调整此项值对CPU进行超 频。请注意超频行为不受保护。
Adjusted CPU Frequency (MHz) （调整后的 CPU 频率，单位MHz） 此项显示调整后的 CPU 频率。只读。
Advance DRAM Configuration （高级DRAM配置） 按<Enter>键进入子菜单。
DRAM Timing Mode （DRAM 时序模式）
此项用于选择是否由内存模组上的 SPD（Serial Presence Detect） EEPROM 控制内存时序。设置此项为[Auto By SPD]，BIOS将根据 SPD 中的配置自动设 置内存时序和下列相关选项。设置此项为[Manual]，用户可以手动配置内存时 序和下列相关选项。
CAS Latency (CL)
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项控制列地址选通 （CAS）的延迟，即在SDRAM接收读指令后，开始进行读取前的延迟时间（以 时钟周期为单位）。
tRCD
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。在刷新DRAM时，行和 列是分开寻址的。此项允许你设置行地址选通（RAS）到列地址选通（CAS） 之间的过渡时序。时钟周期数越少，DRAM的性能越好。
tRP
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项可以设置行地址 选通（RAS）前被允许预充电的时钟周期数。若在DRAM刷新前，无足够时间 让行地址选通积累足够电荷，刷新可能会不完全，DRAM可能丢失资料。此项 仅适用于系统安装同步动态随机存取内存时。
tRAS
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时 RAS 所需时间。
tRTP
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读指令和预 充电指令之间的时间间隔。
tRFC
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项设置读或写一个
内存单元时RFC所需时间。
tWR
当DRAM Timing Mode设置为[Manual]时，此项可调整。此项用来设置一个活 跃内存模块在完成一个有效写操作之后，在预充电之前必须的总延迟（以时钟 周期为单位）。这个延迟用来保证在预充电前写缓冲中的数据被完整写入内存 单元中。
tRRD
114
