Intel
EIST
향상된 Intel SpeedStep 기술로 인해 배터리 또는 AC 전원 중 어떤 방식으로 컴퓨 터를 실행되느냐에 따라 마이크로 프로세서의 성능 레벨을 설정할 수 있습니다. speedstep 기술을 지원하는 CPU를 설치하면 이 필드가 표시됩니다.
C1E Support
이 항목은 아이들일 경우 CPU의 전력을 설정하는 항목입니다. 모든 프로세서가 지 원하지 않지만, 지원할 경우 향상된 전력관리를 사용할 수 있습니다 (C1E).
Adjust CPU Base Frequency (MHz)
이 항목을 사용하여 CPU 베이스 클록(MHZ)을 설정할 수 있습니다. 값이 조정을 통 해 CPU를 오버클록할 수 있습니다. 오버클로킹 동작은 보증하지 않습니다.
Adjusted CPU Frequency (MHz)
이 항목은 조정된 CPU 주파수를 표시합니다. (읽기 전용).
Advance DRAM Configuration
<Enter>를 눌러 하위 메뉴를 시작합니다.
DRAM Timing Mode
DRAM 모듈의 SPD (시리얼 존재 감지) EEPROM에 의해 DRAM 타이밍을 제 어하는지 어떤지 선택합니다. [Auto By SPD]로 설정하면 SPD 구성을 기준으 로 하는 BIOS 에 의해 DRAM 타이밍 및 다음 관련 항목을 판별할 수 있습니다. [Manual]로 설정하면 사용자가 DRAM 타이밍 및 다음 관련 항목을 수동으로 설 성할 수 있습니다.
CAS Latency (CL)
DRAM 타이밍 모드가 [Manual]로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니 다. 이렇게 되면 SDRAM이 읽기 명령을 받아서 이 명령을 시작하기 전에 (클록 사이클의) 타이밍 지연을 결정하는 CAS 대기 시간을 제어합니다.
tRCD
DRAM 타이밍 모드가 [Manual]로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니 다. DRAM이 재충전되면 행과 열이 따로 분리됩니다. 이 설정 항목을 사용하면 RAS(열 주소)에서 CAS(행 주소)로의 변환 타이밍을 결정할 수 있습니다. 클록 사이클이 짧을수록 DRAM 성능이 빨라집니다.
tRP
DRAM 타이밍 모드가 [Manual]로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습 니다. 이 항목은 사전에 충전할 수 있는 RAS 사이클 수를 제어합니다. DRAM 재충전 이전에 RAS가 충전 시간을 충분히 갖지 못할 경우, 충전이 불충분해 서 DRAM이 데이터를 보존하지 못할 수 있습니다. 이 항목은 시스템에 동기화 DRAM이 설치된경우에만 적용됩니다.
tRAS
DRAM 타이밍 모드가 [Manual]로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습 니다. 이 설정은 RAS가 메모리 셀로부터 읽거나 메모리 셀에 쓰는 데 걸리는 시 간을 결정합니다.
tRTP
DRAM 타이밍 모드가 [Manual]로 설정되어 있으면, 이 필드를 조정할 수 있습니 다. 읽기 명령과 사전 충전 명령 간의 시간 간격을 결정합니다.
42
