C1E Support
開啟本功能會在 CPU 閒置時，減低電量的耗損。並非所有處理器均支援 En- hanced Halt state (C1E) 功能。
Adjust CPU Base Frequency (MHz)
本項設定 CPU base clock (以 MHz 計)。您可調整本數值來超頻處理器。注意我 們不保證超頻的成功與否。
Adjusted CPU Frequency (MHz)
本項顯示調整後 CPU 的頻率。唯讀。
Advance DRAM Configuration
按下 <Enter> 鍵，即可進入子選單。
DRAM Timing Mode
選擇 DRAM 的時序，是否由 DRAM 模組上的 SPD EEPROM 裝置來控制。設
為 [Auto by SPD] ，由 BIOS 依 SPD 上的組態，來設定 DRAM 時序及其它相 關設定。設定為 [Manual] 時，則以手動方式更改 DRAM 時序及相關選項。
CAS Latency (CL)
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制行位 址信號 (CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀取前的延 遲時間 (以時脈計)。
tRCD
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。在DRAM更新 時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的 過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位 址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充 電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步 動態隨機存取記憶體時。
tRAS
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RAS
由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRTP
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電 間的時間差。
tRFC
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有 效寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫 入緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRD
將 DRAM Timing Mode 設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同 記憶體間的
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