время для того, чтобы RAS набрал необходимый заряд, регенерация DRAM может оказаться неполной и привести к потере данных. Этот пункт применим, только когда в системе установлена синхронная DRAM.
tRAS
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Эта установка определяет время, которое RAS затрачивает на чтение и запись в ячейку памяти.
tRTP
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Временный интервал между командами чтения и предзаряда.
tRFC
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Эта установка определяет время, которое RFC затрачивает на чтение и запись в ячейку памяти.
tWR
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Эта установка определяет временную задержку (в тактах генератора), которая выполняется между завершением действительной операции записи и предзарядом активного банка. Эта задержка необходима, чтобы гарантировать, что данные в буферах записи успеют попасть в ячейки памяти до предзаряда.
tRRD
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Он определяет задержку от активного к активному состоянию для разных банков.
tWTR
При установке DRAM Timing Mode в [Manual], этот пункт становится доступным. Этот пункт контролирует задержку между Write Data In и Read Command Delay. Она определяет минимальное количество тактов, которое должно пройти между последней действительной операцией записи и следующей командой чтения для одного и того же банка устройства DDR.
FSB/DRAM Ratio
Этот пункт позволяет регулировать коэффициент между частотами FSB и памятью.
Adjusted DRAM Frequency (MHz)
Этот пункт показывает значение частоты памяти. Только для чтения.
Auto Disable
При установке значения [Enabled] система отключит неиспользуемые разъемы памяти и разъемы DIMM и PCI, что приведёт к снижению уровня электромагнитных помех (EMI).
DRAM Voltage (V), NB Voltage (V), CPU VTT (V)
Этот пункт позволяет регулировать напряжение CPU, памяти и чипсета.
97