Hisense LCD42P69P RDQS0 RDQS1, Rcas# Rras#, MEMDQ0, RDQ0 Rcke MEMDQ1 RDQ1, MEMDQ2 RDQ2, MEMDQ3

5

4

3

2

1

RDQS0

RDQS0

3

RDQS1

RDQS1

3

VTT

RDQM0

RDQM0

3

RDQM1

RDQM1 3

增加FB31

RWE#

RWE#

3

( DDR1 DRAM With Termination )

20080911

RCAS#

RCAS#

3

RRAS#

RRAS#

3

FB31

RCS#

RCS#

3

0603/181

5

RND10

4

MEM_DQ0

5

RND1

4

RDQ0

RCKE

RCKE

3

6

3

MEM_DQ1

6

3

RDQ1

RDQ[15..0]

RDQ[15..0]

3

DDRV

DDRV

7

2

MEM_DQ2

7

2

RDQ2

U1

CD32

CD17

1

66

8

150x4

1

MEM_DQ3

8

22x4

1

RDQ3

RA[12..0]

MEM_DQ0

VDD

VSS

MEM_DQ15

4.7uF/10v

0.1uF

RA[12..0]

3

2

65

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

D

DQ0

DQ15

RCLK0

D

3

64

VDDQ

VSSQ

RCLK0

3

MEM_DQ1

4

63

MEM_DQ14

5

RND11

4

MEM_DQ4

5

RND2

4

RDQ4

RCLK0#

DQ1

DQ14

RCLK0#

3

MEM_DQ2

5

62

MEM_DQ13

6

3

MEM_DQ5

6

3

RDQ5

DQ2

DQ13

6

61

7

2

MEM_DQ6

7

2

RDQ6

RBA0

RBA0

3

VSSQ

VDDQ

MEM_DQ3

7

60

MEM_DQ12

CD18

8

1

MEM_DQ7

8

1

RDQ7

RBA1

DQ3

DQ12

150x4

22x4

RBA1

3

MEM_DQ4

8

59

MEM_DQ11

3300pF

DQ4

DQ11

MEM_VREF

9

58

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

MEM_DQ5

VDDQ

VSSQ

MEM_DQ10

MEM_VREF 3

10

57

DQ5

DQ10

150

RD10

22

RD1

MEM_DQ6

11

56

MEM_DQ9

MEM_DQS0

RDQS0

DQ6

DQ9

12

55

150

RD11

MEM_DQM0

22

RD2

RDQM0

DDRV

DDRV

2,3,4

VSSQ

VDDQ

add in 2008/06/02

MEM_DQ7

13

54

MEM_DQ8

150

RD12

MEM_DQM1

22

RD3

RDQM1

DQ7

DQ8

CD19

GND

14

NC

NC

53

150

RD13

MEM_DQS1

22

RD4

RDQS1

GND

2,3,4,6,7,8,9,10,11,12,13,14

15

52

0.1uF

MEM_DQS0

VDDQ

VSSQ

MEM_DQS1

MEM_VREF

16

51

LDQS

UDQS

17

50

NC

NC

MEM_VREF

5

RND13

4

MEM_DQ8

5

RND3

4

RDQ8

18

49

VDD

VREF

19

48

6

3

MEM_DQ9

6

3

RDQ9

NC

VSS

MEM_DQM0

20

47

MEM_DQM1

7

2

MEM_DQ10

7

2

RDQ10

LDM

UDM

CD1

CD21

MEM_WE#

21

46

MEM_CLK0#

8

1

MEM_DQ11

8

1

RDQ11

WE

CLK

150x4

22x4

MEM_CAS#

22

45

MEM_CLK0

0.1uF

3300pF

CAS

CLK

MEM_RAS#

23

44

MEM_CLKEN

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

RAS

CKE

MEM_CS#

24

43

CS

NC

MEM_ADDR12

5

RND14

4

MEM_DQ12

5

RND4

4

RDQ12

25

42

NC

A12

MEM_BA0

26

41

MEM_ADDR11

6

3

MEM_DQ13

6

3

RDQ13

BS0

A11

MEM_BA1

27

40

MEM_ADDR9

7

2

MEM_DQ14

7

2

RDQ14

BS1

A9

+

MEM_ADDR10

28

39

MEM_ADDR8

CD35

CD33

CD20

8

1

MEM_DQ15

8

1

RDQ15

A10/AP

A8

150x4

22x4

MEM_ADDR0

29

A0

A7

38

MEM_ADDR7

100uF/16v

4.7uF/10v

0.1uF

MEM_ADDR1

30

37

MEM_ADDR6

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

A1

A6

MEM_ADDR2

31

36

MEM_ADDR5

A2

A5

MEM_ADDR3

32

35

MEM_ADDR4

5

RND15

4

MEM_WE#

5

RND5

4

RWE#

A3

A4

33

34

6

3

MEM_CAS#

6

3

RCAS#

VDD

VSS

7

2

MEM_RAS#

7

2

RRAS#

16M x 16 DDR TSOP-66

CD22

8

150x4

1

8

22x4

1

R-TSOP66N-0.650-11.84-HX

3300pF

DDR1

2008.6.4

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

5

RND16

4

MEM_CS#

5

RND6

4

RCS#

C

6

3

MEM_BA0

6

3

RBA0

C

7

2

MEM_BA1

7

2

RBA1

CD23

8

150x4

1

MEM_ADDR10

8

22x4

1

RA10

0.1uF

DDRV

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

RND17

MEM_ADDR4

RND7

RA4

5

4

4

5

6

3

MEM_ADDR5

3

6

RA5

7

2

MEM_ADDR6

2

7

RA6

+

CD5

+

CD6

CD7

CD8

CD9

CD10

CD11

CD12

CD13

CD14

CD15

CD25

8

150x4

1

MEM_ADDR7

1

22x4

8

RA7

3300pF

220uF/16v-LowESR CAP

100uF/16v

4.7uF/10V

0.1uF

0.1uF

0.1uF

0.1uF

3300pF

3300pF

3300pF

3300pF

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

4

RND18

5

MEM_ADDR12

5

RND8

4

RA12

3

6

MEM_ADDR11

6

3

RA11

CD24

2

7

MEM_ADDR9

7

2

RA9

增加CD6

1

150x4

8

MEM_ADDR8

8

22x4

1

RA8

0.1uF

20080911

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

5

RND19

4

MEM_ADDR0

5

RND9

4

RA0

6

3

MEM_ADDR1

6

3

RA1

7

2

MEM_ADDR2

7

2

RA2

CD31

CD26

8

150x4

1

MEM_ADDR3

8

22x4

1

RA3

4.7uF/10v

3300pF

R-RESCA3216-8N-HX

R-RESCA2010-8N-HX

MEM_CLK0

RD6

22

RCLK0

RD7

100 If use SDRAM NC RD7/RD8

MEM_CLK0#

RD8

22

RCLK0#

MEM_CLKEN

RD5

22

RCKE

B

B

If use sdram CD34 CD26 CD27 RD9 CD28 CD29 CD30 UD2 NC

If use ddr CD34 CD26 CD27 RD9 CD28 CD29 CD30 UD2 ON

LP2996 for Vref and VTT of DDR1

VTT

+

CD34

CD27

CD30

增加磁珠

DDRV

20080911

100uF/16v

10uF/10v

0.01uF

RD9

4.7K

FB30

DDRV

U2

0603/181

VTT

1

GND

VTT

8

RA140

MEM_VREF

2

7

SD

PVIN

3

6

1K 1%/NS

MEM_VREF

VSENSE

AVIN

4

5

VREF

VDDQ

C680

IC LP2996 DDR Termination SOP-8

+

CD36

RA141

CD28

R-SOIC08N-1.270-6.00-HX

CD37

100uF/16v

1uF

1K 1%/NS

0.01uF

0.1uF

A

2008/05/08 MODIFY

A

MediaTek Confidential

MediaTek (ShenZhen) Inc.

Title

DDR1 DRAM

Size

Document Number

Jiu.Ni5 of

Rev

C

HISENSE_MT8222_EU Drawn:

1

Date:

2008/1/25

Sheet

14

5

4

3

2

1