MSI H67MS-E23 (B3) manual MS-7680 マザーボード Dram Ratio, Trcd

MS-7680 マザーボード

▶DRAM Ratio

この設定はメモリ周波数の倍率をコントロールし、メモリが異なる周波数組合せで動 作させます。

▶Adjusted DRAM Frequency

調整したDRAM周波数を表示します。読取専用です。

▶DRAM Timing Mode

この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Serial Presence Detect) EE- PROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto]に設定すると、 DRAMタイミングを有効にして、以下の[Advanced DRAM Configuration]メニューが SPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。[Link]あるいは[Unlink]に設定す ると、以下のメニューを手動で設定します。

▶Advanced DRAM Configuration

<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。

▶Command Rate

DRAMコマンド率をコントロールします。

▶tCL

SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイミング遅 延であるCASレイテンシーを設定します。

▶tRCD

RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定します。一 般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がります。

▶tRP

DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定します。 RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するための時間が 足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデータを保持で きなくなることがあります。システムに同期DRAMをインストールした場合のみ この項目が利用できます。

▶tRAS

RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定しま す。

▶tRFC

RFCが発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定します。

▶tWR

プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するのが tWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデータが メモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。

▶tWTR

同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔時間 を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatingがセンス増幅器を増速 駆動できます。

Jp-28