▶DRAM Ratio
本項控制記憶體頻率的倍頻比率在不同頻率組合下執行。
▶Adjusted DRAM Frequency
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
▶DRAM Timing Mode
本項選擇是否由在 DRAM 模組上的 SPD (Serial Presence Detect) EEPROM 來配置 DRAM 時序。設為 [Auto] 開啟記憶體時序以及以下 “Advanced DRAM Configuration” 子選單由 SPD 設定上的 BIOS 控制。選擇 [Link] 或 [Unlink] 可手動設定記憶體時序及 “Advanced DRAM Configuration” 的相關選項。
▶Advanced DRAM Configuration
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。
▶Command Rate
本設定控制 DRAM command rate。 ▶tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是於 SDRAM 接收讀取指令後，開始進行讀 取前的延遲時間 (以時脈計)。
▶tRCD
在DRAM更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
▶tRP
本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之 前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同 步動態隨機存取記憶體時。
▶tRAS
本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
▶tRFC
本項決定 RFC 由記憶體讀取及寫入記憶體所需時間。
▶tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器(sense amplifier)回復資料。
▶tWTR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅動感 覺放大器，再開始讀取指令。
