▶DRAM Ratio
此设置控制内存频率的比率。能使内存在不同的内存频率组合下运行。
▶Adjusted DRAM Frequency
此项显示调整后的内存频率。只读。
▶DRAM Timing Mode
选择内存时序是否被内存模组的 SPD (Serial Presence Detect) EEPROM控制。设置
为 [Auto] 开启内存时序选项，BIOS 根据在 SPD 中的配置设置下面的” Advance DRAM Configuration”子菜单选项。选择 [Link] 或 [Unlink] 允许用户配置内存时序和手动设置下 列相关 “Advance DRAM Configuration” 子菜单。
▶Advanced DRAM Configuration
按<Enter>进入子菜单。
▶Command Rate
此项用来控制 DRAM 命令速度。
▶tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定 SDRAM 接收读取指令后，开始进行读 取前的延迟时间（在时钟周期内）。
▶tRCD
在DRAM重置时，列和栏位置是分开处理的。此项设定列位址(RAS)到行位址 (CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，DRAM 的效能越好。
▶tRP
此项控制列位址 (RAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 DRAM 更新之前 预充电，更新可能会不完全，而且 DRAM 可能漏失资料。此项仅适用于系统安装同 步动态随机存取内存时。
▶tRAS
此设置决定了 RAS 由读取到写入内存所需时间。
▶tRFC
此设置决定了 RFC 由读取到写入内存所需时间。
▶tWR
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路恢复 核心数据。
▶tWTR
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许 I/O 在读命令开 始前超速感觉线路。
