CY7C1381D, CY7C1381F

CY7C1383D, CY7C1383F

Pin Configurations

100-pin TQFP Pinout (3 Chip Enable)

DQPC

DQC

DQC

VDDQ

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DQC

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DQC VSS/DNU VDD NC VSS

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100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

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(512K x 36)

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NC NC BWB

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100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

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Document #: 38-05544 Rev. *F

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Image 3
Cypress CY7C1383F, CY7C1381F manual Pin Configurations Pin Tqfp Pinout 3 Chip Enable, CY7C1381D 512K x, CY7C1383D 1M x

CY7C1381D, CY7C1381F, CY7C1383D, CY7C1383F specifications

The Cypress CY7C1383F, CY7C1383D, CY7C1381F, and CY7C1381D are high-performance static random-access memory (SRAM) devices designed for a variety of applications requiring fast data storage and retrieval. These memory chips are part of the Cypress SRAM family, known for their low power consumption, high speed, and data integrity, making them suitable for use in telecommunications, networking, and industrial applications.

One of the standout features of the CY7C1383F and CY7C1383D models is their high density, offering 256K bits of memory. This provides ample space for storing critical data while maintaining excellent performance. The CY7C1381F and CY7C1381D variants, having a smaller capacity of 128K bits, are ideal for applications where space and power savings are paramount. All four devices are organized as 32K x 8 bits, promoting ease of integration into various designs.

These SRAM devices utilize advanced CMOS technology, which not only enhances their speed but also reduces power consumption. The fast access times, reaching as low as 10 nanoseconds for the CY7C1383F and CY7C1381F, enable high-speed data processing, making these memories suitable for cache applications and high-speed buffering. Overall, their performance characteristics ensure data can be accessed quickly and efficiently.

The CY7C1383F and CY7C1383D models come with an extended temperature range, ensuring consistent performance even in harsh environments. This reliability is critical for industrial applications where fluctuating temperatures can affect device functionality. Moreover, the CY7C1381F and CY7C1381D share this advantage, making all four components suitable for different operating conditions.

Built-in features such as byte-wide write enable and chip enable signals significantly ease the control of data access and manipulation. Additionally, the asynchronous nature of these SRAM devices allows for simple interfacing with various microcontrollers and processors, facilitating integration into existing systems with minimal design modifications.

In summary, the Cypress CY7C1383F, CY7C1383D, CY7C1381F, and CY7C1381D SRAM devices deliver high-performance data storage solutions, characterized by low power consumption, fast access times, and reliability in diverse operating conditions. Their versatility makes them an excellent choice for engineers seeking robust memory solutions in their designs.