随机存取内存时。
tRAS
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RAS由读取到 写入内存所需时间。
tRTP
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定读指令和预充 电之间的时间间隔。
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定RFC由读取到 写入内存所需时间。
tWR
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定从整个有效的 写入过程到内存预充电之间的延迟时脉。为确保预充电前，写入缓冲器的资料 能确实写入内存。
tRRD
当DRAM Timing Mode设置为 [Manual]，此项可调整。此项指定不同内存块active
tWTR
当DRAM Timing Mode 设置为 [Manual]，此项调整。此项控制写入资料到读取 指令延迟的内存时序。 包含最后有效读入过程到下次读取指令给同台DDR 装置 间所需的最小时脉。
FSB/DRAM Ratio （FSB/DRAM 比率） 此项允许您调整FSB/内存倍频。
Adjusted DRAM Frequency (MHz) （调整后的内存频率，单位MHZ） 显示调整后的DDR内存频率。只读。
Adjust 
-E
-E
Auto Disable DRAM/PCI Frequency （自动关闭 DRAM/PCI 频率）
设为[Enabled],系统将从空的PCI插槽移除（关闭）时钟以最小电磁干扰（EMI）。
Spread Spectrum （频展）
当主板上的时钟震荡发生器工作时,脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干 扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以脉冲波的 尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题，将此项设定为 Disabled，这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困 扰，请将此项设定为Enabled，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用， 必须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移（抖动）也会引入时钟速度的短暂 突发，这样会导致您超频的处理器锁死。
注意
*I如果您没有任何EMI方面的问题，要使系统获得最佳的稳定性和性能，请设置为
[Disabled]。但是如果您被EMI所干扰，请选择Spread Spectrum（频展）的值， 以减少EMI。
*Spread Spectrum（频展）的值越高，EMI会减少，系统地稳定性也相应降低。
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