tRP |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址 |
(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電， |
更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態 |
隨機存取記憶體時。 |
tRAS |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RAS |
由讀取到寫入記憶體所需時間。 |
tRTP |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間 |
的時間差。 |
tRFC |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC |
由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。 |
tWR |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效 |
寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入 |
緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。 |
tRRD |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同記 |
憶體間的 |
tWTR |
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項設定資料寫 |
入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同 DDR |
裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。 |
FSB/DRAM Ratio (FSB / 記憶體倍頻比率) |
本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。 |
Adjusted DRAM Frequency (MHz) (調整後記憶體頻率) |
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。 |
Adjust |
本項設定 |
Auto Disable DRAM/PCI Frequency (自動關閉記憶體/ PCI 頻率) |
設為開啟[Enabled]，系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈，以減少電磁波干擾 |
(EMI)。 |
Spread Spectrum (頻譜擴散) |
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾 |
(EMI)。頻譜擴散功能，可藉由調節脈衝以減少 EMI 的問題。若無電磁波干擾的問 |
題，請將本項目設為關閉 [Disabled]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合 |
EMI 規範，請選擇開啟 [Enabled]，以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必 |
將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度的增快，進而使超 |
頻中的處理器被鎖定。 |
注意事項 |
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