tRP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項控制列位址 (RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電， 更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系統安裝同步動態 隨機存取記憶體時。
tRAS
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRTP
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。讀取到預充電間 的時間差。
tRFC
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定 RFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項指定在有效 寫入結束後到預充電指令開始間的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間確保在寫入 緩衝內的資料，可於預充電前被寫入記憶體。
tRRD
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項設定不同記 憶體間的
tWTR
將「記憶體時序模式」設為手動 [Manual] 時，可調整本欄位。本項設定資料寫 入到讀取指令延遲時間。本項包括在上次有效寫入到下次讀取指令到相同 DDR 裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。
FSB/DRAM Ratio (FSB / 記憶體倍頻比率) 本項可調整 FSB 的倍頻比率到記憶體。
Adjusted DRAM Frequency (MHz) (調整後記憶體頻率) 本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
Adjust 
-E
-E
Auto Disable DRAM/PCI Frequency (自動關閉記憶體/ PCI 頻率)
設為開啟[Enabled]，系統會從空出的插槽移除(關閉)時脈，以減少電磁波干擾 (EMI)。
Spread Spectrum (頻譜擴散)
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾 (EMI)。頻譜擴散功能，可藉由調節脈衝以減少 EMI 的問題。若無電磁波干擾的問 題，請將本項目設為關閉 [Disabled]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合 EMI 規範，請選擇開啟 [Enabled]，以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必 將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度的增快，進而使超 頻中的處理器被鎖定。
注意事項
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