ます。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がり ます。
tRP
DRAMは各メモリセルの電荷の有無によってデータを信号として蓄えます。 メモリセルに蓄えられた電荷は非常に微小であるため、データの読み取りの たびに電荷が失われしまいます。この電荷の消失を補う動作がプリチャージ で、このプリチャージ動作に掛ける時間を手動で設定します。時間が短いほ どパフォーマンスはあがります。しかし時間が短過ぎるとDRAMのプリチャ ージは不完全になり、DRAMがデータを保持できないため、システムの動作 が不安定になります。
tRAS
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。RAS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間 です。
tRTP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。この設定はデータ読み込みとプリチャージ命令の時間間隔をコントロー ルします。
tRFC
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。 この設定はRFCがメデータをモリセルから読み込む/メモリセルに書き出 すことにかかる時間を決定します。
tWR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整でき ます。プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定 するのがtWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッフ ァのデータがメモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要がありま す。
tRRD
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で 設定します。
tWTR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま す。同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの 間隔時間を手動で設定します。
FSB/DRAM Ratio
FSBとメモリクロックを非同期で動作させる場合、本項目で動作比率を設定し ます。
Adjusted DRAM Frequency (MHz)
この項目は調整したメモリ周波数を表示します。(読取専用)
Adjust 
-E
150
