MSI H61M-P32/W8 manual

MS-7788

tRCD

При обновлении DRAM, строки и столбцы опрашиваются раздельно. Определяет время перехода из RAS (row address strobe) в CAS (column address strobe). Чем меньше число тактов, тем выше производительность DRAM.

tRP

Данная настройка задает количество тактов для Row Address Strobe (RAS), разрешенных для пред-заряда. Если для RAS установлено недостаточное время накапливания заряда до обновления DRAM, последний не сможет сохранять данные. Данный пункт применим в случае, если установлена синхронная память.

tRAS

Определяет время, в течении которого RAS производит чтение/запись в ячейку памяти.

tRFC

Определяет время, в течении которого RFC производит чтение/запись в ячейку памяти.

tWR

Определяет минимальный интервал времени между окончанием записи данных и началом выполнения команды пред-заряда. Позволяет усилителям считывания восстановить данные в ячейке.

tWTR

Определяет минимальный интервал времени между окончанием записи данных и началом выполнения команды чтения из столбца. Позволяет блоку ввода/вывода возбудить усилители считывания до начала команды чтения.

tRRD

Определяет задержку active-to-active разных банков.

tRTP

Временной интервал между командой чтения и пред-заряда.

tFAW

Позволяет задать tFAW (four activate window delay) тайминг. tWCL

Позволяет задать tWCL (Write CAS Latency) тайминг.

tCKE

Позволяет задать ширину импульса для модуля DRAM.

tRTL

Позволяет настроить Round Trip Latency.

Advanced Channel 1/ 2 Timing Configuration

Нажмите <Enter>, чтобы войти в подменю. Вы можете установить расширенные тайминги памяти для каждого канала.

109