tRCD
Wenn DRAM erneuert wird, werden Reihen und Spalten separat adressiert. Dies gestattet es, die Anzahl der Zyklen und der Verzögerung einzustellen, die zwischen den CAS und RAS Abtastsignalen liegen, die verwendet werden, wenn der DRAM beschrieben, ausgelesen oder aufgefrischt wird. Eine hohe Geschwindigkeit führt zu höherer Leistung, während langsamere Geschwindig- keiten einen stabileren Betrieb bieten.
tRP
Legt die Anzahl der Taktzyklen fest, die das Reihenadressierungssignal (Row Address Strobe - RAS) für eine Vorbereitung bekommt. Wird dem RAS bis zur Auffrischung des DRAM nicht genug Zeit zum Aufbau seiner Ladung gegeben, kann der Refresh unvollständig ausfallen und das DRAM Daten verlieren. Die- ser Menüpunkt ist nur relevant, wenn DRAM verwendet wird.
tRAS
Diese Einstellung definiert die Zeit (RAS) zum Lesen und Schreiben einer Speicherzelle.
tRFC
Diese Einstellung definiert die Zeit (RFC) zum Lesen und Schreiben einer Speicherzelle.
tWR
Minimum Intervall zwischen dem Datenflussende und dem Beginn eines vorge- ladenen Befehls. Erlaubt die Wiederherstellung der Daten in die Zellen.
tWTR
Minimum Intervall zwischen dem Datenflussende und dem Beginn eines Spaltenlesebefehls. Es gestattet den I/O Ansteuerungssignalen die Datenwie- derherstellung der Zelle vor dem Lesebefehl zu überschreiben.
tRRD
Legt die
tRTP
Legt das Zeitintervall zwischen dem Lesebefehl und dem vorgeladenen Befehl fest.
tFAW
Einstellen des tFAW
tWCL
Einstellen des tWCL- Zeitintervalls (Write CAS Latency).
tCKE
Einstellen des tCKE- Zeitintervalls.
tRTL
Einstellen des tRTL- Zeitintervalls.
Advanced Channel
1/ 2 Timing Configuration
Drücken Sie die Eingabetaste <Enter>, um das Untermenü aufzurufen. Hier können für jeden Kanal erweiterte Speichereinstellungen vorgenommen werden.
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