tRCD
RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定しま す。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がりま す。
tRP
DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定しま す。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するため の時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMがデ ータを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインスト ールした場合のみこの項目が利用できます。
tRAS
RAS(行アドレス信号)が発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定 します。
tRFC
RFCが発信してからデータが読み出されるまでの時間を決定します。
tWR
プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定するの がtWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッファのデ ータがメモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要があります。
tWTR
同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの間隔 時間を手動で設定します。読み取り命令の始める前にI/O gatingがセンス増幅 器を増速駆動できます。
tRRD
異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で設定 します。
tRTP
この設定はデータ読み込みとプリチャージ命令の時間間隔をコントロールし ます。
tFAW
tFAWタイミングを設定します。
tWCL
tWCLタイミングを設定します。
tCKE
tCKEタイミングを設定します。
tRTL
往復遅延の設定を行います。
Advanced Channel
1/ 2 Timing Configuration
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。各チャンネルのための 高級なメモリタイミングを設定できます。
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