tRCD
Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparément. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de RAS (row address strobe) à CAS (column address strobe). Moins l’horloge fonctionne, plus vite est la performance de DRAM.
tRP
Ce menu contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) soit permit à précharger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le RAS ac- cumule son charge avant le refraîchissement de to DRAM, le refraîchissement peut être incomplet et le DRAM peut échouer à retirer les données. Cet article applique seulement quand le DRAM synchrone est installé dans le système.
tRAS
Ce menu détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire.
tRFC
Ce réglage détermine le temps que RFC prend pour lire ou écrire une cellule de mémoire.
tWR
L’intervalle de temps minimum entre la fin d’apparition d’écriture de données et le début de l’ordre de précharge. Permet aux amplificateurs sensitifs de restau- rer les données aux cellules.
tWTR
L’intervalle de temps minimum entre la fin d’apparition d’écriture de données et le début de l’ordre de
tRRD
Spécifie le retard
tRTP
L’intervalle de temps entre un ordre de lire et un ordre de
tFAW
Ce menu sert à régler le timing tFAW (délai de quatre fenêtres activées).
tWCL
Ce menu sert à régler le timing tWCL (Write CAS Latency).
tCKE
Ce menu sert à régler Pulse Width pour le module DRAM.
tRTL
Ce menu sert à régler les configurations Round Trip Latency.
Advanced Channel
1/ 2 Timing Configuration
Appuyez <Enter> pour entrer dans le
69
