tRCD
在 DRAM 更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RAS) 到行位址 (CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更 新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系 統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
tRAS
T本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRFC
本項指定 RFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWR
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器 (sense amplifier)回復資料。
tWTR
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅 動感覺放大器，再開始讀取指令。
tRRD
本項設定不同記憶體分組之間
tRTP
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
tFAW
本項設定 tFAW (four activate window delay) 時序。
tWCL
本項設定 tWCL (Write CAS Latency) 時序。 tCKE
本項設定記憶體模組的脈波寬度。
tRTL
本項設定往返延遲。
Advanced Channel
1/ 2 Timing Configuration
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
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