Fujitsu 163-0731 3.1 FRAM

第3 章富士通のFRAM 製品の紹介

3.1 FRAM 単体メモリ

富士通では, 不揮発性・高速書き換え・低消費電力・書き換え回数が多い , といった FRAM の特長

を生かした単体メモリを商品化しています。携帯機器・事務機・デジタル家電・その他多くの分野で

お使いいただけます。

i．SRAMと比較して

富士通の単体FRAM は, SRAM と互換性の高い擬似 SRAM I/F を採用しているため, SRAM を容易

に置き換えることが可能です。FRAMでSRAM を置き換えることにより , 下記のようなメリットがあ

ります。

(1)トータルコストの削減

・メンテナンス負荷の軽減：バッテリ交換不要

・装置の小型化：電池ソケット等の部品不要

・製造工程削減：ソケット等の部品組み込み不要

バッテリバックアップされたSRAM を用いたシステムでは , 電池は通常 1～10 年程度の周期で交

換するのが一般的ですが , その前に電池寿命となる場合も考えられるため , 常に電池状態の管理をす

る必要があります。また, 電池が液漏れを起こす場合もあります。SRAMをFRAM に置き換えること

により, 電池のメンテナンスの煩わしさや液漏れの問題から開放されます。また , SRAM と電池の他

に電池ソケットや逆流防止ダイオードなどの部品 , および基板上にもそれに応じた面積が必要ですが ,

FRAMは1チップでそれらの代替となるため , FRAM の使用は装置小型化や製造工程の削減にも貢献

します。

(2)環境対応

・電池の廃棄不要

・製造負荷削減

使用済みの電池は産業廃棄物となること, FRAM の製造工程における環境負荷は , SRAM と電池や

ソケット等を製造する際の環境負荷と比較して , CO2排出量換算で半分以下であることなど , 環境面

においても電池が不要になることのメリットは非常に大きいものとなります。

ⅱ．EEPROM/Flashメモリと比較して

EEPROM やFlash メモリのような既存の不揮発性メモリと比較すると , FRAM は高速・低消費電

力・書き換え可能回数が多い, の3点が主な特長です。FRAMでEEPROM やFlash メモリを置き換え

ることにより, 下記のようなメリットがあります。

(1)トータルコストの削減

・製品の長寿命化・部品点数の削減：書き換え可能回数が多い

・工場出荷時のデータ書込み時間の短縮：高速書き込み

製品固体ごとにパラメータを書き込むような場合では, EEPROM やFlashメモリを使用する場合と

比較して, 書き込み時間の削減による製造・出荷の効率化につながります。

(2)搭載製品の性能向上

・低消費電力のため, バッテリ駆動機器では長時間使用可能

・高速書き込みによるトランザクションの向上

・書き換え回数が多いため, 高頻度に記録できる。

FRAM は高電圧不要で低消費電力です。このため , バッテリ駆動機器には EEPROM などに比べ長時

間使用が可能です。また, 非常に短時間にデータを書き込まなければならない用途では , FRAM を使

用することにより従来 EEPROM をはるかに上回る多くの情報を保存できます。装置の状態や履歴を

管理する場合にも, EEPROM やFlash メモリよりも頻繁にデータを記録することにより精度の向上が

期待できます。

今後, さらに容量やインタフェースなどのバリエーションを拡大し , ラインナップ化をすすめてい

きます。