3第1 章 概要
表1.1 FRAM と他メモリの特長比較2T/2C: 2トランジスタ /2 キャパシタ
1T/1C: 1トランジスタ /1 キャパシタ
6T/4C: 6トランジスタ /4 キャパシタ
1T: 1トランジスタ
2T: 2トランジスタ
6T: 6トランジスタ
4T+2R: 4トランジスタ＋ 2 負荷素子
*1 : FRAM - 書換え回数: 読出しの場合は , 破壊読 出しになるため , 読出しと再書込みの合計回数。
*2 : Flash Memory - 書換えサイクル: チ ップ内部でのプリプログラミング時間を除く。
*3 : EPROM - 紫外線消去: 2537 Åの紫外線 , 照射量 −10 ～15 Ws/cm2, 15 ～20 分
*4 : バッテリバックアップタイプSRAM を前提とした時間。
項目
FRAM
2T/2C,
1T/1C型
FRAM
SRAM型EEPROM Flash
Memory EPROM MASK ROM DRAM SRAM
データ保持 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 不揮発 揮発 揮発
データ保持期間 10年10 年10 年10 年10 年 無限大 −1年
（電池駆動）
セル構成 2T/2C,
1T/1C 6T4C 2T 1T 1T 1T 1T/1C 6T
4T+2R
読出し時間 110 ns SRAMと
同等 200 ns <120 ns <150 ns <120 ns 70 ns 70～85 ns
*4
書込み電圧 3.3 V 3.3 V 20 V
(内部昇圧)
12 V
(内部昇圧)
12 V
(内部昇圧) 不要 3.3 V 3.3 V
データの
書換え
方法 重ね書き 重ね書き 消去あるい
は書込み
消去あるい
は書込み
書込みと
紫外線消
去の組み
合わせ
不可
(
工程書込み）
重ね書き 重ね書き
サイ
クル 180 ns SRAM と
同等
10 ms
(
バイト単位）
1 s *2
(
セクタ単位）
書込み*3 −70 ns 70 ～85 ns
データの消去動作 不要 不要 必要
（バイト消去）
必要
（セクタ消去）
必要
（紫外線消去）
0.5 ms
(
バイト単位）
不可 不要
書換え回数 PZT:108～1012
SBT:>1012 *1無限大 100,000 100,000 100 不可 無限大 無限大
データ保持電流 不要 不要 不要 不要 不要 不要 必要 必要
待機時電流 5 μASRAMと
同等 20 μA 5 μA100 μA 30 μA 1000 μA 7 μA
読出し動作時電流 4 mA SRAMと
同等 5 mA 12 mA 40 mA 40 mA 80 mA 40 mA
書込み動作時電流 4 mA SRAMと
同等 8 mA 35 mA 40 mA −80 mA 40 mA