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第2 章 技術解説
■他の強誘電体材料
FRAM用の強誘電体薄膜キャパシタ材料としては, これまで PZT の研究が最も多く行われてきまし
た。これは, PZT が大きな残留分極値（2Pr）を有している上に , 比較的容易に強誘電性が得られるこ
とや FRAM として用いるのに適当な抗電界値（Ec）を持っているためです。これに対して , Bi 層状
化合物であるSBT: SrBi2Ta2O9は, Ec が小さく , 薄膜化による動作電圧の低減が可能な上に , 1012 回の
分極反転後も疲労がほとんど見られないという特長があります。
SBTの結晶構造を図 2.3 に示します。
図2.3 SBT (SrBi2Ta2O9)結晶構造
:Sr :Bi :Ta :OBi
Bi
Bi