Ventilación POR LA Parte Inferior | GE PFDN445, PFDS450, PFDN440

Instrucciones de instalación

CÓMO AGREGAR UN CONDUCTO NUEVO

• Vuelva a conectar	Porción “A”
la porción cortada “A”
del conducto a la caja
del ventilador.	Orificio de
• Sujete el codo	montaje
• Sujete el codo
con cinta en
una posición
de 90 grados
para evitar la rotación.

VENTILACIÓN POR LA PARTE INFERIOR (cont.)

	• Aplique cinta aislante	Cinta
	• Aplique cinta aislante	aislante
	como puede verse en la	aislante
	como puede verse en la
	junta entre el conducto
	interno de la secadora
	y el codo.
	NOTA: Asegúrese de que
	la cinta cubra el orificio

•Introduzca el codo a través del orificio trasero y conéctelo a la porción “A”.

Gire el codo a través de

la abertura inferior.

Orificio trasero

Abertura de la parte inferior

del tornillo de la porción A donde se conecta con el codo.

PRECAUCIÓN: Las juntas del conducto interno deben sujetarse con cinta; caso contrario, pueden separarse y provocar un riesgo de seguridad.

La secadora cuenta con una salida por la parte inferior del gabinete en modelos a gas y eléctricos.

CÓMO AGREGAR LA PLACA DE CUBIERTA A LA PARTE TRASERA DEL GABINETE

•Mientras sostiene la tubería

	y codo, utilizando su mano
	a través de la abertura
	trasera, perfore un orificio
	de 1/8” a través del orificio
	de la lengüeta inferior	Visión inferior
	y la tubería como puede	Visión inferior
	y la tubería como puede
	verse en la ilustración.

NOTA: Asegúrese de que el orificio atraviese bien el codo y la tubería.

PRECAUCIÓN: Asegúrese de no tirar o dañar los cables eléctricos ubicados dentro de la secadora cuando introduzca el conducto.

• Mientras todavía sostiene la tubería y codo de

la abertura trasera, atornille las tuberías

en su lugar con el tornillo conservado con anterioridad.

(SALIDA POR LA PARTE INFERIOR)

Placa

(Kit WE1M454)

Conecte los codos y conductos de metal estándar para completar el sistema de salida. Cubra

la abertura trasera con la placa (Kit WE1M454), disponible en su proveedor de servicios local. Coloque la secadora en su ubicación final.

ADVERTENCIA:

NUNCA DEJE LA ABERTURA TRASERA

SIN LA PLACA EN SU LUGAR. (Kit WE1M454)

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PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.

GE PFDN445, PFDS450, PFDN440 Ventilación POR LA Parte Inferior, Salida POR LA Parte Inferior

Models: PFMS455 PFMS450 PFDN445 PFDN440 PFDS450 PFDS455 PFMN445 PFMN440