MIsE EN Garde Les joints du | GE PFMN445, PFDS450, PFDN440, PFDS455

Instructions d’installation

ÉVACUATION PAR LE DEssOUs (suite)

Orifice d’évacuation de la sécheuse par le dessous de la carrosserie sur les modèles fonctionnant au gaz et à l’électricité.

AJOUTER UN NOUVEAU CONDUIT

• Rebranchez		Portion « A »
la portion découpée		Portion « A »
la portion découpée
A du conduit	Trou de fixation
au boîtier	Trou de fixation
au boîtier
du ventilateur.
• Placez du ruban
adhésif sur le coude
dans un angle de		Orifice
90 degrés afin d’éviter		Orifice
toute rotation.		arrière
toute rotation.
• Introduisez le coude
dans l’orifice arrière
et connectez-le à		Orifice
la portion A. Pivotez		du dessous

le coude vers l’orifice du dessous.

•Tout en tenant le tuyau

et le coude à l’aide
de vos mains via l’orifice
arrière, percez un trou
de 1/8 po à travers le trou
de la languette inférieure	Vue de dessous
et le tuyau conformément	Vue de dessous
à l’illustration.

REMARQUE : Assurez-vous que la perceuse a traversé le tuyau et le coude.

MIsE EN GARDE : Prenez soin de ne pas tirer ou endommager les fils électriques placés

àl’intérieur de la sécheuse lors de l’insertion du conduit.

• Tout en tenant le tuyau et le coude par l’orifice arrière, vissez les tuyaux en place à l’aide de la vis précédemment mise de côté.

• Appliquez du ruban adhésif Ruban adhésif sur le joint entre le tuyau

interne de la sécheuse

et le coude.

REMARQUE : Assurez-vous que le ruban recouvre le trou de vis de la portion A à l’endroit où il se raccorde au coude.

MIsE EN GARDE : Les joints du

conduit interne doivent être fixés avec du ruban adhésif afin d’éviter qu’ils ne se détachent et que ceci n’entraîne un risque pour la sécurité.

AJOUTER UNE PLAQUE D’OBTURATION

ÀL’ARRIÈRE DE LA CARROssERIE (ÉVACUATION PAR LE DEssOUs)

Plaque

(Ensemble WE1M454)

Connectez les coudes et les conduits

métalliques pour terminer l’installation du système d’évacuation. Recouvrez l’orifice arrière d’une plaque (Ensemble WE1M454) disponible auprès de votre fournisseur local. Placez la sécheuse

à son emplacement final.

AVERTIssEMENT –

IL FAUT TOUJOURs LAIssER LA PLAQUE D’OBTURATION sUR L’ORIFICE À L’ARRIÈRE DE LA sÉCHEUsE. (Ensemble WE1M454)

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.

GE PFMN445, PFDS450, PFDN440, PFDS455 MIsE EN Garde Les joints du, Évacuation PAR LE DEssOUs suite

Models: PFMS455 PFMS450 PFDN445 PFDN440 PFDS450 PFDS455 PFMN445 PFMN440