À propos des caractéristiques de la sécheuse.

www.electromenagersge.ca

« Built-In Rack Dry System »

 

Enfoncez les potences

Un support de séchage pratique peut être utilisé pour sécher des articles comme les chaussures de tennis. Placez les articles à plat sur le support de séchage et bloquez les pulls en laine ou les tissus délicats. Séchez

à faible chaleur.

Pour installer le « Built-In Rack Dry System »

1.Assurez-vous que le tambour de la sécheuse est orienté de sorte que le système de support de séchage se trouve sur le côté gauche de la sécheuse.

2.Tirez sur le support de séchage du côté gauche et engagez les “tiges” de la poignée dans les fentes se trouvant à l’opposé.

3.Placez le vêtement sur le support et fermez la porte.

4.Appuyez sur la touche DRYER RACK (GRILLE DE SÉCHAGE).

5.Sélectionnez le temps désiré.

6.Appuyez sur la touche START/PAUSE (MISE EN MARCHE/PAUSE).

REMARQUE :

n N’utilisez pas ce support de séchage quand d’autres vêtements sont dans la sécheuse.

n Assurez-vous de détacher le support de séchage à la fin du cycle

et rabattez entièrement le support de séchage à l’intérieur du déflecteur.

Utilisation du crochet incorporé pour accrocher des vêtements

1.Assurez-vous que le tambour de la sécheuse est orienté de sorte que le crochet soit situé sur la partie supérieure centrale de la sécheuse.

2.En utilisant votre doigt, retirez le crochet de la fente.

3.Accrochez le vêtement sur

un cintre, accrochez ce dernier sur le crochet et fermez la porte.

4.Appuyez sur la touche DRYER RACK (GRILLE DE SÉCHAGE).

5.Sélectionnez le temps désiré.

6.Appuyez sur la touche

START/PAUSE (MISE EN MARCHE/ PAUSE).

Reverse TumbleMC

Toutes les sécheuses à chargement frontal Profile sont dotées de

la fonction Reverse TumbleMC, une option incorporée au système Duo Dry PlusMC. En inversant le sens de rotation du tambour pendant le cycle de séchage, votre sécheuse mélangera moins votre linge, le séchera de façon plus homogène et écourtera le séchage. Les charges habituelles telles que celles composées de draps, de serviettes de bain et de housses sont les premières à profiter de cette fonctionnalité. Lorsque la sécheuse inverse le culbutage, une courte pause s’amorce et le bruit émis par la machine change. Ne vous inquiétez pas, c’est normal. Tous les cycles de la sécheuse utilisent cette fonctionnalité, sauf lorsque l’option de séchage à l’aide

du support ou de la grille de séchage est sélectionnée, auquel cas le tambour

ne tourne pas.

62

 

Page 62
Image 62
GE PFDN445, PFDS450, PFDN440, PFMN445, PFDS455, PFMS450 Reverse TumbleMC, Pour installer le « Built-In Rack Dry System »

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.