GE PFDS455 Mettez LA sÉCHEUsE DE Niveau, Branchement DU Câble sÉRIE, Branchez LA sÉCHEUsE

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Instructions d’installation

INsTALLATION FINALE

1METTEZ LA sÉCHEUsE DE NIVEAU

Placez la sécheuse à proximité de l’emplacement final. Réglez les quatre pattes de nivellement pour la mettre de niveau de gauche à droite,

et de l’avant vers l‘arrière.

Monter Baisser

2BRANCHEMENT DU CÂBLE sÉRIE

Branchez le câble série pour le raccordement

de la laveuse et de la sécheuse dans le port série placé à l’arrière de la sécheuse.

Branchez l’autre extrémité du câble sur la laveuse avant de pousser la laveuse à son emplacement final.

Port série

Arrière de la sécheuse

3BRANCHEZ LA sÉCHEUsE

Assurez-vous au

préalable qu’une mise à la terre existe bien

et qu’elle fonctionne correctement.

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4INsTRUCTIONs DE MIsE À LA TERRE

Vous devez mettre à la terre cet appareil électroménager. En cas de panne ou de mauvais fonctionnement, cette mise à la terre réduira

le risque de secousse électrique en fournissant au courant un passage de moindre résistance. Cet appareil est équipé d’un cordon qui est muni d’un conducteur et d’une fiche de mise

àla terre. Cette fiche doit être branchée dans une bonne prise, bien installée et mise à la terre conformément à tous les codes et à toutes les ordonnances locales.

5DÉMARRAGE DE LA sÉCHEUsE

Appuyez sur la touche POWER (ALIMENTATION).

REMARQUE : Si la sécheuse a été exposée

àdes températures inférieures au point de congélation pendant une période prolongée, laissez-la se réchauffer avant d’appuyer sur

POWER (ALIMENTATION). Sinon, l’écran ne s’allumera pas.

La sécheuse est maintenant prête à l’emploi.

MAINTENANCE

AVERTIssEMENT –

Étiquetez tous les câbles avant de les débrancher pour les réparations. Les erreurs de câblage peuvent provoquer un fonctionnement inapproprié et dangereux après

une installation/réparation.

Pour les pièces de rechange et les autres informations, consultez la page 100 du manuel d’utilisation pour connaître les numéros

de téléphone du service après-vente.

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GE PFDS455 Mettez LA sÉCHEUsE DE Niveau, Branchement DU Câble sÉRIE, Branchez LA sÉCHEUsE, Démarrage DE LA sÉCHEUsE

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.