MIsE EN Garde Ne pas tirer ou, Évacuation Latérale

Instructions d’installation

ÉVACUATION LATÉRALE :

Orifice d’évacuation de la sécheuse sur la droite

de la carrosserie sur les modèles fonctionnant à l’électricité uniquement.

Orifice d’évacuation de la sécheuse sur la gauche de la carrosserie sur les modèles fonctionnant au gaz et à l’électricité.

AVERTIssEMENT –

AVANT DE PROCÉDER À L’INsTALLATION

DE L’ÉVACUATION, VEILLEZ À COUPER L’ALIMENTATION ÉLECTRIQUE DE LA sÉCHEUsE. PROTÉGEZ VOs MAINs ET VOs BRAs DEs PARTIEs COUPANTEs LORQUE VOUs TRAVAILLEZ sUR LA CARROssERIE. MUNIssEZ-VOUs DE GANTs.

Retirez la vis Droite et mettez-la

de côté

Gauche

Dessous

Retirez la débouchure appropriée (une seule)

Enlevez la débouchure gauche, droite ou du dessous. Retirez la vis située à l’intérieur du tuyau d’évacuation de la sécheuse

et conservez-la. Retirez le tuyau de la sécheuse.

Trou de fixation

34,3 cm (131⁄2 po)

Coupez le tuyau comme indiqué et conservez la portion A.

EMPLACEMENT DE LA LANGUETTE

Non applicable au gaz

Pliez la languette à un angle de 45°

Àtravers l’orifice arrière, repérez la languette au milieu de la base de l’appareil. Soulevez la languette à 45° à l’aide d’un tournevis à tête plate.

AJOUTER UN NOUVEAU CONDUIT

Trou de fixation

Portion « A »

Évacuation côté gauche

Rebranchez la portion découpée (A) du conduit

au boîtier du ventilateur. Veillez à ce que le conduit raccourci soit aligné sur la languette dans la base. Utilisez la vis mise de côté précédemment pour fixer le conduit à la languette sur la base de l’appareil.

AJOUTER UN COUDE ET UN CONDUIT POUR L’ÉVACUATION sUR LA GAUCHE ET LA DROITE DE L’APPAREIL

Tuyau interne

Orifice arrière

•Introduisez le coude de 4 po dans l’orifice arrière et connectez le coude au tuyau interne de la sécheuse.

Orifice latéral

•Introduisez le conduit de 4 po dans l’orifice latéral et connectez-le au coude.

MIsE EN GARDE : Ne pas tirer ou

endommager les fils électriques et ne pas retirer le couvert de vinyle des pièces électriques à l’intérieur de la sécheuse lors de l’insertion du conduit. Une légère interférence peut se produire entre l’évacuation et les composants de fil.

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.

GE PFDS450 MIsE EN Garde Ne pas tirer ou, Évacuation Latérale, Emplacement DE LA Languette

Models: PFMS455 PFMS450 PFDN445 PFDN440 PFDS450 PFDS455 PFMN445 PFMN440