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GE PFDS450, PFDN440 AVERTIssEMENT N’utilisez, AVERTIssEMENT Cette, Détection DEs FUITEs, Gaz

Models: PFMS455 PFMS450 PFDN445 PFDN440 PFDS450 PFDS455 PFMN445 PFMN440

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Instructions d’installation

DÉTECTION DEs FUITEs

AVERTIssEMENT – N’utilisez

jamais une flamme nue pour vérifier la présence de fuites de gaz.

Contrôlez la présence de fuites sur tous

les raccordements avec une solution savonneuse ou similaire.

Appliquez une solution savonneuse. La solution de détection des fuites ne doit pas contenir d’ammoniaque, ce qui pourrait endommager les raccords en laiton.

Si des fuites sont détectées, fermez la vanne, resserrez le raccord en cause et répétez

la procédure de détection de fuites.

Ouvrez la vanne de gaz

INFORMATIONs DE BRANCHEMENT ÉLECTRIQUE POUR LEs sÉCHEUsEs

À GAZ

AVERTIssEMENT –

Pour réduire le risque d’incendie, de choc électrique et de blessure :

•N’utilisez pas de rallonge électrique

ou d’adaptateur de prise avec cette machine.

•La sécheuse doit être électriquement mise à la terre conformément aux normes et aux réglementations locales, ou en l’absence de normes locales, conformément au CODE NATIONAL DE L’ÉLECTRICITÉ, ANSI/NFPA N° 70, ou au Canada la norme CSA C22.1 du Code canadien de l’électricité, 1re partie.

EXIGENCEs RELATIVEs À L’ÉLECTRICITÉ POUR LEs sÉCHEUsEs À GAZ

Cette machine doit être alimentée avec du courant de 120 V, 60 Hz, et raccordée

àun circuit domestique correctement mis à la terre, protégé par un disjoncteur de 15 ou 20 ampères ou un fusible temporisé.

Si l’alimentation électrique fournie n’est pas conforme aux exigences ci-dessus, il est recommandé de faire installer une prise homologuée par un électricien qualifié.

AVERTIssEMENT – Cette

sécheuse est équipée d’une fiche à trois broches (mise à la terre) pour votre protection contre

le risque de choc électrique et elle doit être branchée directement dans un prise à trois broches correctement mise à la terre. Ne coupez pas ou n’enlevez pas la broche de terre de cette fiche.

Assurez-vous au préalable qu’une mise à la terre existe bien et qu’elle fonctionne correctement.

Si les normes locales le permettent, un fil de terre externe (non fourni) conforme aux normes locales peut être ajouté en le fixant à la vis verte de mise

àla terre, située à l’arrière de la sécheuse, pour établir une mise à la terre alternative.

Vérifiez si la mise à la terre est adéquate avant utilisation.

Vis de mise à la terre

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GE PFDS450 AVERTIssEMENT N’utilisez, AVERTIssEMENT Cette, Détection DEs FUITEs, Gaz, La procédure de détection de fuites
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PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.