Instructions d’installation

EXIGENCEs RELATIVEs

ÀUNE INsTALLATION ENCAsTRÉE

Votre sécheuse est homologuée pour une installation dans une alcôve ou dans un placard, comme l’indique l’étiquette figurant au dos

de la sécheuse.

L’air de la sécheuse DOIT être évacué vers l’extérieur. Consultez la section ÉVACUATION DE LA SÉCHEUSE.

L’espace minimum entre la sécheuse et les murs adjacents ou d’autres surfaces est le suivant :

0 mm (0 po) des deux côtés

75 mm (3 po) avant et arrière

La distance verticale minimum du sol aux étagères suspendues, armoires, plafonds, etc. de 132 cm (52 po).

Les portes du placard doivent être perforées ou ventilées et doivent disposer d’un espace ouvert réparti de façon homogène d’au moins 1,5 m2 (60 po carrés) de superficie. Si une laveuse

et une sécheuse ont été installées dans le placard, les portes doivent disposer d’un d’espace ouvert réparti de façon homogène d’au moins

3 m2 (120 po carrés).

L’air du placard doit être évacué vers l’extérieur afin d’éviter la formation de poches de gaz si

le tuyau d’alimentation de gaz transporte du gaz.

Aucun autre appareil à combustible ne doit être installé dans le placard dans lequel se trouve la sécheuse (modèles à gaz uniquement).

REMARQUE : SI LE TUYAU D’ÉVACUATION EST SITUÉ

ÀL’ARRIÈRE DE LA SÉCHEUSE, L’ESPACE MINIMUM PAR RAPPORT AU MUR EST DE 14 CM (5,5 PO).

INsTALLATION DANs UNE sALLE

DE BAIN OU UNE CHAMBRE

L’air de la sécheuse DOIT être évacué vers l’extérieur. Consultez la section ÉVACUATION DE LA SÉCHEUSE.

L’installation doit être conforme aux normes locales ou, en l’absence de normes locales, avec le CODE NATIONAL DE L’ÉLECTRICITÉ, ANSI/NFPA N° 70 (pour les sécheuses électriques) ou le CODE NATIONAL DU GAZ, ANSI Z223 (pour les sécheuses à gaz).

INsTALLATION DANs UNE MAIsON

MOBILE OU PRÉFABRIQUÉE

L’installation doit être conforme à la NORME DE SÉCURITÉ POUR LA CONSTRUCTION

DE MAISONS FABRIQUÉES, TITRE 24, PARTIE 32–80 ou, si la norme n’est pas applicable,

àla NORME NATIONALE AMÉRICAINE POUR LES MAISONS MOBILES N° 501B.

L’air de la sécheuse DOIT être évacué vers l’extérieur avec les raccordements correctement fixés à la structure de la maison mobile.

(Voyez ÉVACUATION DE LA SÉCHEUSE.)

La ventilation NE DOIT PAS déboucher sous une maison mobile ou fabriquée.

Le matériau du tuyau de ventilation DOIT ÊTRE LE MÉTAL.

POUR LES MODÈLES À GAZ UNIQUEMENT : L’ensemble 14-D346-33 DOIT être utilisé pour raccorder la sécheuse à la structure.

POUR LES MODÈLES À GAZ UNIQUEMENT : La ventilation NE DOIT PAS être raccordée

àtout autre tuyau, évent ou cheminée.

N’utilisez pas de vis à tôle ni d’autres dispositifs de serrage qui dépassent à l’intérieur de l’évent d’évacuation.

Prévoyez une ouverture dotée d’une zone ouverte de 63 cm2 (25 pouces carrés) pour l’infiltration d’air extérieur dans la pièce de la sécheuse.

INsTALLATION RÉsIDENTIELLE DANs UN GARAGE

Les sécheuses installées dans des garages résidentiels doivent être élevées à 46 cm au- dessus du sol.

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GE PFDS455, PFDS450, PFDN440, PFMN445, PFMS450, PFMN440, PFDN445, PFMS455 DE Bain OU UNE Chambre, Mobile OU Préfabriquée

PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.