Options de cycle.

REMARQUE : Certaines caractéristiques peuvent ne pas être offertes sur tous les modèles de sécheuses.

LOCK

Bouton de verrouillage

Appuyez 3 secondes pour déverrouiller

Lock (Verrouillage)

Vous pouvez verrouiller les commandes pour en éviter la sélection. Ou vous pouvez verrouiller les commandes après le démarrage d’un cycle.

Avec cette option sélectionnée, les enfants ne peuvent plus démarrer la sécheuse accidentellement en appuyant sur les touches.

Pour verrouiller la sécheuse, appuyez sur la touche LOCK (VERROUILLAGE). Pour déverrouiller la sécheuse, appuyez sur la touche LOCK et maintenez-la enfoncée pendant

3 secondes.

La lumière au centre du bouton de verrouillage LOCK s'allume lorsque les commandes sont verrouillées..

Le voyant autour de la touche LOCK s’illuminera quand les commandes sont verrouillées.

Même si les commandes sont verrouillées,

la touche POWER (ALIMENTATION) est encore active au cas où vous auriez besoin d’éteindre l’unité.

DRUM

LIGHT

SETTINGS

Appuyez et maintenez appuyé pendant 3 secondes pour des options secondaires

Settings (Réglage)

Dans l’option SETTINGS (RÉGLAGE), vous pouvez ajuster le volume ou la luminosité de l’affichage.

VOLUME

n Le volume du signal de fin de cycle peut être réglé sur HIGH (HAUT), MED (MOYEN), LOW (BAS) ou OFF (ARRÊT).

n Le volume de la tonalité des commandes peut être réglé sur HIGH, MED, LOW ou OFF.

La luminosité de l’affichage (DISPLAY BRIGHTNESS) peut être réglée sur HIGH, MED ou LOW.

Une fois que vous avez effectué votre sélection, appuyez sur ENTER (ENTRÉE).

REMARQUE : Maintenez le bouton DRUM LIGHT appuyé pendant 3 secondes pour accéder au menu SETTINGS (réglages).

À propos des caractéristiques de la sécheuse.

Lumière de tambour

Avant de remplacer l’ampoule, assurez-vous de débrancher le cordon

d’alimentation de la sécheuse ou de couper l’alimentation au panneau de distribution électrique en enlevant le fusible ou en déclenchant le disjoncteur. Accédez au dessus de l’ouverture de la sécheuse depuis l’intérieur

du tambour. Retirez l’ampoule et remplacez-la par une ampoule de même taille.

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GE PFMN440, PFDS450 Propos des caractéristiques de la sécheuse, Lock Verrouillage, Settings Réglage, Lumière de tambour
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PFMS455, PFMS450, PFDN445, PFDN440, PFDS450 specifications

The GE PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 are part of GE’s innovative family of radio frequency (RF) power transistors designed for various commercial and industrial applications. These devices are renowned for their efficient performance, providing a blend of high power output and reliability, ideal for telecommunications, broadcasting, and other RF applications.

The GE PFMN440 and PFMN445 are members of the RF transistor family that offer robust performance in high-frequency applications. The PFMN440 is particularly noted for its outstanding linearity and power gain, which makes it suitable for use in RF amplifiers and transmitters. Its compact package and advanced thermal management design enable efficient heat dissipation, which is critical in maintaining performance under load. The PFMN445, with a higher power rating, amplifies these characteristics, supporting greater output levels while maintaining linearity, resulting in clearer signal output.

The PFDS455 and PFDS450, on the other hand, are optimized for industrial applications with features that emphasize durability and efficiency. The PFDS455 stands out for its ability to handle higher voltages and currents, making it an excellent choice for applications that require resilience against overloads. The device's superior thermal stability ensures that it performs consistently across a range of operational environments. The PFDS450 shares many of these attributes but is tailored for applications requiring a slightly lower output, making it versatile for different RF circuit designs.

The PFDN440 is designed with specialized technologies that enhance its functionality in digital and mixed-signal environments. It integrates advanced semiconductor materials which reduce power consumption and improve efficiency without compromising performance. This device is particularly useful in applications that demand high-speed operation and reliability, making it a preferred choice for modern communication systems.

All these transistors utilize state-of-the-art manufacturing processes, including advanced doping techniques and epitaxial growth, which contribute to their excellent electrical characteristics. Their high thermal conductivity, high breakdown voltage, and wide frequency response range make these devices suitable for both commercial and specialized applications.

Overall, GE's PFMN440, PFMN445, PFDS455, PFDS450, and PFDN440 transistors are emblematic of modern RF technology, combining power, efficiency, and reliability to cater to a wide spectrum of RF applications.
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